| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 近红外光探测器简介 | 第10-11页 |
| 1.2 无机半导体近红外光探测器 | 第11-13页 |
| 1.3 有机半导体近红外光探测器 | 第13-15页 |
| 1.4 本论文的研究工作及创新点 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-23页 |
| 第二章 近红外光敏有机场效应管活性层结构、工作原理、制备及表征 | 第23-41页 |
| 2.1 有机半导体简介 | 第23-24页 |
| 2.2 近红外光敏有机场效应管结构 | 第24-26页 |
| 2.3 近红外光敏有机场效应管活性层结构及工作原理 | 第26-29页 |
| 2.4 近红外光敏有机场效应管性能表征 | 第29-30页 |
| 2.5 有机近红外光敏材料 | 第30-32页 |
| 2.6 底栅衬底上有机薄膜的真空热蒸发制备 | 第32-34页 |
| 2.7 近红外光敏有机场效应管制备工艺 | 第34-35页 |
| 2.8 小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-41页 |
| 第三章 衬底温度对酞菁铅单层近红外光敏有机场效应管性能的影响 | 第41-60页 |
| 3.1 背景介绍 | 第41-44页 |
| 3.2 器件制备与表征 | 第44页 |
| 3.3 衬底温度对器件性能的影响 | 第44-51页 |
| 3.3.1 酞菁铅薄膜光吸收特性 | 第44-46页 |
| 3.3.2 酞菁铅薄膜结构 | 第46页 |
| 3.3.3 酞菁铅薄膜表面形貌 | 第46-48页 |
| 3.3.4 不同衬底温度的器件光敏性能 | 第48-51页 |
| 3.4 衬底温度对器件性能的影响：OTS处理 | 第51-56页 |
| 3.4.1 酞菁铅薄膜结构：OTS处理 | 第51-52页 |
| 3.4.2 酞菁铅薄膜表面形貌：OTS处理 | 第52-54页 |
| 3.4.3 不同衬底温度的器件光敏性能：OTS处理 | 第54-56页 |
| 3.5 小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第四章 具有诱导层的底栅单层近红外光敏有机场效应管 | 第60-87页 |
| 4.1 背景介绍 | 第60-63页 |
| 4.2 器件制备与表征 | 第63-64页 |
| 4.3 具有酞菁铜诱导层的酞菁铅单层近红外光敏有机场效应管 | 第64-74页 |
| 4.3.1 器件光敏性能 | 第64-69页 |
| 4.3.2 器件性能随酞菁铜诱导层厚度的变化 | 第69-73页 |
| 4.3.3 不同厚度酞菁铜诱导层上酞菁铅薄膜的结构及光吸收特性 | 第73页 |
| 4.3.4 栅介质/有机半导体界面陷阱态密度 | 第73-74页 |
| 4.4 具有并五苯诱导层的酞菁铅单层近红外光敏有机场效应管 | 第74-82页 |
| 4.4.1 器件光敏性能 | 第74-79页 |
| 4.4.2 器件性能随并五苯诱导层厚度的变化 | 第79-81页 |
| 4.4.3 不同厚度并五苯诱导层上酞菁铅薄膜的结构及光吸收特性 | 第81-82页 |
| 4.5 界面诱导机理 | 第82页 |
| 4.6 小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第五章 基于平面异质结的近红外光敏有机场效应管 | 第87-114页 |
| 5.1 背景介绍 | 第87-88页 |
| 5.2 器件制备与表征 | 第88-90页 |
| 5.3 沟道迁移率对平面异质结近红外光敏有机场效应管性能的影响 | 第90-93页 |
| 5.4 金属电极对并五苯/PbPc平面异质结近红外光敏有机场效应管性能的影响 | 第93-97页 |
| 5.5 平面异质结类型对近红外光敏有机场效应管性能的影响 | 第97-100页 |
| 5.6 平面异质结近红外光敏有机场效应管的稳定性 | 第100-103页 |
| 5.7 基于并五苯/PbPc/C_(60)的平面异质结近红外光敏有机场效应管 | 第103-110页 |
| 5.7.1 薄膜光吸收特性 | 第103-104页 |
| 5.7.2 器件光敏性能 | 第104-107页 |
| 5.7.3 器件稳定性 | 第107-109页 |
| 5.7.4 器件光响应时间 | 第109-110页 |
| 5.8 小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第六章 总结与展望 | 第114-118页 |
| 6.1 研究总结 | 第114-115页 |
| 6.2 研究展望 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-118页 |
| 附录A 缩写词列表 | 第118-120页 |
| 附录B 物理量符号列表 | 第120-122页 |
| 在学期间的研究成果 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
