| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 石墨烯 | 第13-16页 |
| 1.2 二维过渡金属硫化物 | 第16-20页 |
| 1.3 黑磷 | 第20-23页 |
| 1.4 太赫兹波 | 第23-25页 |
| 1.5 本文的主要内容 | 第25-27页 |
| 2 器件模拟软件及模型选择 | 第27-35页 |
| 2.1 器件模拟概述 | 第27-29页 |
| 2.2 ISE软件概述 | 第29-30页 |
| 2.3 器件仿真模型 | 第30-34页 |
| 2.4 时域有限差分方法（FDTD）概述 | 第34-35页 |
| 3 块材黑磷场效应晶体管的双极性研究 | 第35-40页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 块材黑磷场效应晶体管的转移特性 | 第35-38页 |
| 3.3 黑磷场效应晶体管的转换机制与短沟道效应 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 黑磷厚度与肖特基势垒对黑磷场效应晶体管的双极性的影响的研究 | 第40-50页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 不同厚度的黑磷场效应晶体管的转移特性 | 第40-44页 |
| 4.3 不同厚度黑磷场效应晶体管的相关电学参数的讨论 | 第44-47页 |
| 4.4 肖特基势垒改变时，黑磷场效应晶体管的电流电压转移特性 | 第47-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 5 单层纳米带黑磷器件的太赫兹辐射研究 | 第50-56页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 器件结构 | 第50-51页 |
| 5.3 黑磷的Drude模型 | 第51-52页 |
| 5.4 太赫兹辐射的吸收与透射 | 第52-55页 |
| 5.5 小结 | 第55-56页 |
| 6 总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 硕士期间发表论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
