| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 二维纳米材料的发展 | 第11-14页 |
| 1.2.1 石墨烯的发现 | 第11页 |
| 1.2.2 宽禁带二维纳米材料的涌现 | 第11-12页 |
| 1.2.3 二硫化钼的结构及性质 | 第12-14页 |
| 1.3 二硫化钼的生长方法 | 第14-18页 |
| 1.3.1 “自上而下” | 第14-16页 |
| 1.3.2 “自下而上” | 第16-18页 |
| 1.4 二硫化钼场效应晶体管的研究 | 第18-21页 |
| 1.4.1 单双层二硫化钼 | 第19页 |
| 1.4.2 MoS_2-金属接触 | 第19-20页 |
| 1.4.3 高介电栅氧层 | 第20页 |
| 1.4.4 掺杂改性 | 第20页 |
| 1.4.5 二硫化钼合成及其晶体管研究中存在的问题 | 第20-21页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 MoS_2基背栅场效应晶体管构建及表征 | 第22-31页 |
| 2.1 MoS_2基背栅场效应晶体管制作及测试流程 | 第22-23页 |
| 2.2 背栅MoS_2场效应晶体管制备设备 | 第23-28页 |
| 2.2.1 热氧化扩散炉 | 第24-25页 |
| 2.2.2 三温区管式炉 | 第25页 |
| 2.2.3 光刻与刻蚀系统 | 第25-26页 |
| 2.2.4 电子束曝光系统 | 第26-27页 |
| 2.2.5 电子束蒸发系统 | 第27页 |
| 2.2.6 磁控溅射镀膜设备 | 第27-28页 |
| 2.3 MoS_2及其场效应晶体管测试设备 | 第28-31页 |
| 2.3.1 金相显微镜 | 第28页 |
| 2.3.2 拉曼光谱仪 | 第28-29页 |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM） | 第29页 |
| 2.3.4 场发射透射电子显微镜（TEM） | 第29-30页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱仪 | 第30页 |
| 2.3.6 半导体参数分析仪 | 第30-31页 |
| 第三章 大面积、层数可控MoS_2薄膜生长 | 第31-46页 |
| 3.1 管式炉法CVD法生长薄膜 | 第31页 |
| 3.2 MoS_2薄膜生长工艺优化 | 第31-39页 |
| 3.2.1 温度对二硫化钼薄膜生长的影响 | 第32-35页 |
| 3.2.2 氢气流量对二硫化钼薄膜生长的影响 | 第35-39页 |
| 3.3 二硫化钼薄膜的表征 | 第39-45页 |
| 3.3.1 原子力显微镜 | 第39-41页 |
| 3.3.2 拉曼光谱 | 第41-42页 |
| 3.3.3 场发射透射电镜 | 第42-43页 |
| 3.3.4 X射线光电子能谱 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 不同层数二硫化钼背栅场效应晶体管 | 第46-61页 |
| 4.1 背栅二硫化钼场效应晶体管的制作 | 第46-50页 |
| 4.1.1 背栅二硫化钼场效应晶体管结构 | 第46-47页 |
| 4.1.2 背栅MoS_2-FET结构构建 | 第47-50页 |
| 4.2 二硫化钼沟道层数对器件性能的影响 | 第50-59页 |
| 4.2.1 单层二硫化钼场效应晶体管 | 第50-52页 |
| 4.2.2 双层二硫化钼场效应晶体管 | 第52-55页 |
| 4.2.3 三层二硫化钼场效应晶体管 | 第55-57页 |
| 4.2.4 单、双及三层二硫化钼场效应晶体管性能对比 | 第57-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 二硫化钼场效应晶体管性能优化 | 第61-75页 |
| 5.1 接触电阻性能优化 | 第61-68页 |
| 5.1.1 MoS_2-金属接触 | 第61-62页 |
| 5.1.2 1T-MoS_2电极接触结构及构建 | 第62-64页 |
| 5.1.3 1T-MoS_2接触型晶体管性能 | 第64-68页 |
| 5.2 二硫化钼沟道缺陷修正 | 第68-74页 |
| 5.2.1 MPS去除硫空位 | 第68-69页 |
| 5.2.2 MPS处理后晶体管性能 | 第69-71页 |
| 5.2.3 MPS处理+1T-MoS_2接触 | 第71-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 发表论文和科研情况 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
