| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-25页 |
| 1.1 AlGaN/GaN HEMT器件的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.2 凹槽栅MOS HEMT器件的发展 | 第21-22页 |
| 1.3 研究内容与论文安排 | 第22-25页 |
| 第二章 凹槽栅Al_2O_3/AlGaN/GaN HEMT器件和制造工艺 | 第25-33页 |
| 2.1 GaN HEMT器件工作原理 | 第25-28页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结的结构 | 第25-26页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结二维电子气的计算 | 第26-28页 |
| 2.2 槽栅MOS HEMT器件的关键工艺 | 第28-30页 |
| 2.3 栅介质Al_2O_3的引入 | 第30-32页 |
| 2.3.1 栅介质Al_2O_3的特点 | 第30-31页 |
| 2.3.2 Al_2O_3栅介质生长工艺 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 凹槽栅MOS-HEMT器件特性仿真 | 第33-51页 |
| 3.1 Silvaco仿真软件及关键方法 | 第33-37页 |
| 3.1.1 Silvaco TCAD仿真组件 | 第33-34页 |
| 3.1.2 仿真中关键参数设置 | 第34-37页 |
| 3.2 不同结构参数对器件特性的影响 | 第37-42页 |
| 3.2.1 势垒层不同掺杂浓度下的转移特性对比 | 第37-38页 |
| 3.2.2 Al组分对器件特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 不同凹槽刻蚀深度对器件的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.4 不同栅介质厚度的器件转移特性 | 第41-42页 |
| 3.3 不同位置的陷阱对器件特性的影响 | 第42-46页 |
| 3.3.1 AlGaN/GaN异质结界面态 | 第42-43页 |
| 3.3.2 势垒层体陷阱 | 第43-44页 |
| 3.3.3 Al_2O_3/AlGaN间界面态 | 第44-46页 |
| 3.4 凹槽栅MOS HEMT特性仿真 | 第46-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 凹槽栅MOS HEMT器件直流特性分析 | 第51-75页 |
| 4.1 器件介绍和实验设计 | 第51-52页 |
| 4.2 凹槽栅MOS HEMT器件基本特性 | 第52-62页 |
| 4.2.1 凹槽栅MOS HEMT器件的IV特性 | 第52-56页 |
| 4.2.2 凹槽栅MOS HEMT器件的C-V特性 | 第56-62页 |
| 4.3 HEMT器件电应力退化模型 | 第62-70页 |
| 4.3.1 退化模型 | 第63-64页 |
| 4.3.2 沟道热电子注入 | 第64-66页 |
| 4.3.3 栅极电子注入 | 第66-70页 |
| 4.4 凹槽栅MOS HEMT器件高场电应力分析 | 第70-74页 |
| 4.4.1 开态应力下器件的退化分析 | 第70-72页 |
| 4.4.2 关态应力下器件的退化分析 | 第72-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 MOS HEMT器件界面陷阱分析 | 第75-91页 |
| 5.1 电导法原理 | 第75-77页 |
| 5.2 利用电导法对MOS HEMT界面态进行分析 | 第77-84页 |
| 5.2.1 MOS-HEMT电容的电导法等效模型 | 第77-79页 |
| 5.2.2 凹槽栅MOS HEMT异质结界面态分析 | 第79-84页 |
| 5.3 电应力对界面态的影响 | 第84-88页 |
| 5.3.1 正栅压应力 | 第84-87页 |
| 5.3.2 负栅压应力 | 第87-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-91页 |
| 第六章 总结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 作者简介 | 第99-101页 |
