| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-13页 |
| 1.1.1 功率器件与VDMOS | 第9页 |
| 1.1.2 空间辐射环境及分析 | 第9-11页 |
| 1.1.3 VDMOS的辐射效应 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外研究现状及研究意义 | 第13-14页 |
| 1.2.1 国内外研究现状 | 第13页 |
| 1.2.2 抗辐射VDMOS的研究意义 | 第13-14页 |
| 1.3 本文工作内容 | 第14-17页 |
| 第二章 VDMOS的结构与工作原理 | 第17-29页 |
| 2.1 VDMOS的结构与工艺 | 第17-21页 |
| 2.1.1 VDMOS的基本结构 | 第17-20页 |
| 2.1.2 VDMOS的工艺流程 | 第20-21页 |
| 2.2 VDMOS的工作原理 | 第21-23页 |
| 2.2.1 VDMOS的导通特性 | 第21-22页 |
| 2.2.2 VDMOS的关断特性 | 第22-23页 |
| 2.3 VDMOS的基本电学参数 | 第23-27页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第23页 |
| 2.3.2 跨导 | 第23-24页 |
| 2.3.3 击穿电压 | 第24-25页 |
| 2.3.4 导通电阻 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 SEB辐射效应研究 | 第29-43页 |
| 3.1 SEB失效机理的研究 | 第29-35页 |
| 3.1.1 VDMOS的雪崩倍增效应 | 第29-31页 |
| 3.1.2 寄生三极管的导通机制 | 第31-35页 |
| 3.2 SEB数值仿真模型 | 第35-37页 |
| 3.2.1 SEB失效的漏电流响应 | 第35-36页 |
| 3.2.2 SEB效应的位置敏感性 | 第36-37页 |
| 3.2.3 VDMOS的SEB效应安全工作电压 | 第37页 |
| 3.3 VDMOS的结构参数对器件抗SEB能力的影响 | 第37-41页 |
| 3.3.1 源区掺杂浓度的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 P阱注入剂量的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.3 外延缓冲层厚度和浓度的影响 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 SEGR辐射效应研究 | 第43-53页 |
| 4.1 SEGR失效机理的研究 | 第43-46页 |
| 4.2 “空穴池”积累模型及JFET宽度的优化 | 第46-47页 |
| 4.2.1 “空穴池”积累模型 | 第46-47页 |
| 4.2.2 JFET宽度对VDMOS抗SEGR能力的影响 | 第47页 |
| 4.3 栅氧化层微击穿及SEGR敏感度与SEB敏感度的关系 | 第47-51页 |
| 4.3.1 栅氧化层微击穿 | 第47-48页 |
| 4.3.2 SEGR敏感度与SEB敏感度的关系 | 第48-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 150V抗辐射VDMOS器件的设计 | 第53-63页 |
| 5.1 150V抗辐射VDMOS设计方案 | 第53-56页 |
| 5.1.1 主要参数的设计 | 第53-54页 |
| 5.1.2 版图的设计 | 第54-55页 |
| 5.1.3 器件仿真结果 | 第55-56页 |
| 5.2 器件结构改进 | 第56-62页 |
| 5.2.1 超结VDMOS的抗辐射研究 | 第56-59页 |
| 5.2.2 沟槽型VDMOS的抗辐射研究 | 第59-60页 |
| 5.2.3 PSOI VDMOS的抗辐射研究 | 第60-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 总结 | 第63页 |
| 6.2 展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 作者简介 | 第69页 |
