| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 纳米MOSFET的总剂量辐照效应的研究意义 | 第15页 |
| 1.2 MOSFET总剂量辐照效应的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的研究工作和论文安排 | 第16-19页 |
| 第二章 MOSFET的总剂量辐照效应综述 | 第19-35页 |
| 2.1 总剂量辐照效应 | 第19-24页 |
| 2.1.1 电子空穴对的产生 | 第19-21页 |
| 2.1.2 空穴的输运 | 第21页 |
| 2.1.3 辐照产生陷阱电荷 | 第21-23页 |
| 2.1.4 辐照产生的界面陷阱电荷 | 第23-24页 |
| 2.2 MOSFET的总剂量辐照效应 | 第24-27页 |
| 2.2.1 辐照对MOSFET阈值电压的影响 | 第24-25页 |
| 2.2.2 对亚阈值摆幅和迁移率的影响 | 第25-26页 |
| 2.2.3 对MOSFET跨导的影响 | 第26页 |
| 2.2.4 辐照对CMOS器件的 1/f噪声的影响 | 第26-27页 |
| 2.3 纳米尺寸器件的总剂量辐照效应 | 第27-29页 |
| 2.3.1 STI区的总剂量辐照效应 | 第27-29页 |
| 2.4 总剂量辐照效应的加固技术 | 第29页 |
| 2.5 65nm工艺下高 κ 栅氧化层的辐照特性 | 第29-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-35页 |
| 第三章 65nm nMOSFET总剂量辐照效应的仿真研究 | 第35-55页 |
| 3.1 仿真工具的介绍 | 第35-36页 |
| 3.1.1 ISE软件介绍 | 第35页 |
| 3.1.2 仿真用的主要模型介绍 | 第35-36页 |
| 3.2 65nm nMOSFET器件结构的建立 | 第36-38页 |
| 3.3 65nm nMOSFET总剂量辐照效应研究 | 第38-43页 |
| 3.3.1 实验结果及分析 | 第38-43页 |
| 3.4 总剂量辐照效应对晶体管参数的影响 | 第43-47页 |
| 3.4.1 总剂量辐照效应对阈值电压的影响 | 第43-46页 |
| 3.4.2 总剂量辐照效应对跨导和迁移率的影响 | 第46-47页 |
| 3.5 总剂量辐照下的增强效应 | 第47-52页 |
| 3.5.1 辐照增强的漏致势垒降低效应 | 第47-51页 |
| 3.5.2 辐照增强的沟道长度调制效应 | 第51页 |
| 3.5.3 辐照增强的窄沟效应 | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-55页 |
| 第四章 总剂量辐照效应的加固研究 | 第55-65页 |
| 4.1 nMOSFET总剂量辐照加固的必要性 | 第55-56页 |
| 4.2 衬底掺杂的抗辐照优化设计 | 第56-60页 |
| 4.2.1 采用超陡倒掺杂提高器件的抗辐照特性 | 第56-58页 |
| 4.2.2 阈值调整注入掺杂对总剂量辐照特性的影响 | 第58-60页 |
| 4.3 抗辐照器件栅结构的优化设计 | 第60-63页 |
| 4.3.1 采用H型栅的抗辐照加固设计 | 第60-62页 |
| 4.3.2 采用环形栅的抗辐照加固设计 | 第62-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 研究内容总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
