| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 GaN材料特点 | 第9-10页 |
| 1.2 增强型GaN HEMT器件优势及应用 | 第10-13页 |
| 1.2.1 增强型GaN HEMT器件的优势 | 第10-12页 |
| 1.2.2 增强型GaN HEMT器件的应用 | 第12-13页 |
| 1.3 增强型GaN HEMT器件研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3.1 增强型GaN HEMT器件结构的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3.2 增强型GaN HEMT器件电流崩塌效应的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 论文主要内容 | 第17-21页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.4.2 设计指标 | 第18页 |
| 1.4.3 本文的主要工作 | 第18-21页 |
| 第二章 增强型GaN HEMT器件基本原理 | 第21-31页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应与2DEG的产生 | 第21-24页 |
| 2.1.1 自发极化效应 | 第21-22页 |
| 2.1.2 压电极化效应 | 第22-23页 |
| 2.1.3 二维电子气的产生机理 | 第23-24页 |
| 2.2 增强型GaN HEMT器件的基本特性 | 第24-29页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第24-25页 |
| 2.2.2 输出特性 | 第25-26页 |
| 2.2.3 击穿特性 | 第26-27页 |
| 2.2.4 电容特性 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 600V增强型GaN HEMT器件优化设计 | 第31-49页 |
| 3.1 600V增强型GaN HEMT器件p-GaN层设计 | 第31-35页 |
| 3.1.1 p-GaN层掺杂浓度设计 | 第32页 |
| 3.1.2 p-GaN层厚度设计 | 第32-34页 |
| 3.1.3 p-GaN层长度设计 | 第34-35页 |
| 3.2 600V增强型GaN HEMT器件AlGaN势垒层设计 | 第35-39页 |
| 3.2.1 AlGaN势垒层Al组份x设计 | 第36-37页 |
| 3.2.2 AlGaN势垒层厚度设计 | 第37-39页 |
| 3.3 600V增强型GaN HEMT器件栅漏间距设计 | 第39-40页 |
| 3.4 600V增强型GaN HEMT器件AlGaN缓冲层设计 | 第40-42页 |
| 3.5 600V增强型GaN HEMT器件电学特性综合验证 | 第42-44页 |
| 3.6 一种新型高阈值GaN HEMT器件 | 第44-47页 |
| 3.6.1 绝缘埋层GaN HEMT器件结构及机理 | 第44-45页 |
| 3.6.2 绝缘埋层GaN HEMT器件的优化设计 | 第45-46页 |
| 3.6.3 新结构与原始结构性能对比 | 第46-47页 |
| 3.7 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 600V增强型GaN HEMT器件电流崩塌效应研究 | 第49-61页 |
| 4.1 增强型GaN HEMT器件电流崩塌效应机理研究 | 第49-54页 |
| 4.1.1 电流崩塌效应的表现方式 | 第49-50页 |
| 4.1.2 较高漏极偏压下的电流崩塌机理 | 第50-54页 |
| 4.2 缺陷参数对增强型GaN HEMT器件电流崩塌效应的影响 | 第54-57页 |
| 4.2.1 缺陷浓度对电流崩塌效应的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.2 缺陷能级对电流崩塌效应的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 增强型GaN HEMT器件电流崩塌效应改善研究 | 第57-59页 |
| 4.3.1 高Al组份缓冲层GaN HEMT器件 | 第57页 |
| 4.3.2 P型埋层GaN HEMT器件 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 总结 | 第61页 |
| 5.2 展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 硕士期间取得成果 | 第69页 |
