| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究状况 | 第16-19页 |
| 1.3 本文的主要工作及结构安排 | 第19-20页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件基本原理 | 第20-30页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT基本结构 | 第20-21页 |
| 2.2 极化效应 | 第21-23页 |
| 2.3 二维电子气 | 第23-25页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT工作机理 | 第25-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT耐压技术与仿真技术 | 第30-42页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT击穿机理 | 第30-31页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT耐压技术 | 第31-36页 |
| 3.2.1 平坦沟道电场技术 | 第31-33页 |
| 3.2.2 减小缓冲层泄漏电流技术 | 第33-35页 |
| 3.2.3 其他技术 | 第35-36页 |
| 3.3 仿真软件概述 | 第36-37页 |
| 3.4 AlGaN/GaN HEMT仿真模型 | 第37-41页 |
| 3.4.1 基本方程 | 第37-38页 |
| 3.4.2 迁移率模型 | 第38-39页 |
| 3.4.3 载流子产生-复合模型 | 第39-40页 |
| 3.4.4 极化模型 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 带有场板结构的AlGaN/GaN HEMT | 第42-54页 |
| 4.1 场板提高击穿电压的机理分析 | 第42-44页 |
| 4.2 阶梯场板对电场分布的影响 | 第44-47页 |
| 4.3 阶梯场板几何参数的优化 | 第47-50页 |
| 4.3.1 场板长度的优化 | 第47-48页 |
| 4.3.2 阶梯高度的优化 | 第48-49页 |
| 4.3.3 阶梯场板优化结果与总结 | 第49-50页 |
| 4.4 复合浮空场板对器件击穿电压的影响 | 第50-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 带有LDD结构的AlGaN/GaN HEMT | 第54-66页 |
| 5.1 器件结构 | 第54-55页 |
| 5.2 LDD结构对阈值电压的影响 | 第55-56页 |
| 5.3 LDD结构对击穿电压的影响 | 第56-62页 |
| 5.3.1 LDD结构对沟道层中电场分布的影响 | 第56-58页 |
| 5.3.2 氟离子区浓度的优化 | 第58-60页 |
| 5.3.3 氟离子区长度的优化 | 第60-62页 |
| 5.4 漏端引入氢离子掺杂的LDD-HEMT | 第62-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
