| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 空间辐射环境 | 第10-11页 |
| 1.2 单粒子效应研究与进展 | 第11-15页 |
| 1.3 单粒子效应研究面临的挑战 | 第15-16页 |
| 1.4 论文的主要工作与结构安排 | 第16-19页 |
| 1.4.1 本文的主要内容 | 第16-17页 |
| 1.4.2 本文的组织结构 | 第17-19页 |
| 第二章 单粒子效应分析和预测方法 | 第19-31页 |
| 2.1 单粒子的能量沉积方式 | 第19-21页 |
| 2.2 单粒子的电荷收集模型 | 第21-24页 |
| 2.3 临界电荷与饱和截面 | 第24-26页 |
| 2.4 单粒子效应的预测方法 | 第26-30页 |
| 2.4.1 单粒子效应物理级仿真 | 第26-28页 |
| 2.4.2 脉冲激光SEU敏感区测试方法 | 第28-29页 |
| 2.4.3 半导体器件的数值模拟计算方法 | 第29-30页 |
| 2.5 小结 | 第30-31页 |
| 第三章 双阱工艺器件单粒子数值模拟仿真 | 第31-46页 |
| 3.1 构建NMOS和PMOS管模型并校准 | 第31-34页 |
| 3.2 双阱与非门逻辑器件SEE混合模拟 | 第34-36页 |
| 3.3 与非门器件瞬态脉冲诱发单粒子翻转 | 第36-37页 |
| 3.4 全三维双阱工艺SRAM单元器件模拟 | 第37-45页 |
| 3.4.1 双阱SRAM单元的选取 | 第37-39页 |
| 3.4.2 全三维双阱SRAM单元模型的构建 | 第39-40页 |
| 3.4.3 单粒子瞬态电流的评估方法 | 第40-42页 |
| 3.4.4 双阱电荷共享对PMOS器件的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.5 双阱SRAM器件单粒子翻转敏感性评估 | 第44-45页 |
| 3.5 小结 | 第45-46页 |
| 第四章 三阱工艺器件单粒子效应数值模拟仿真 | 第46-60页 |
| 4.1 三阱反相器SEE混合模拟仿真 | 第46-48页 |
| 4.2 深N+阱反相器电荷收集对瞬态电流的影响 | 第48-50页 |
| 4.3 三阱保护环工艺SRAM单元器件模拟 | 第50-59页 |
| 4.3.1 三阱保护环SRAM单元器件设计 | 第50-51页 |
| 4.3.2 三阱SRAM单元单粒子瞬态效应分析 | 第51-53页 |
| 4.3.3 深N+阱电极对TN2管电荷收集机理分析 | 第53-55页 |
| 4.3.4 深N+阱电荷共享引起双极放大效应 | 第55-57页 |
| 4.3.5 三阱SRAM单元单粒子翻转敏感性评估 | 第57-59页 |
| 4.4 小结 | 第59-60页 |
| 第五章 改进型逻辑电路单粒子瞬态仿真 | 第60-65页 |
| 5.1 逻辑电路瞬态脉冲注入设定 | 第60-62页 |
| 5.2 辐射加固型电路设计仿真 | 第62-64页 |
| 5.3 单元CMOS电路SEU加固设计小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 主要工作总结及创新 | 第65-66页 |
| 6.2 抗单粒子效应辐射研究的展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第72-74页 |
| 附录 | 第74-77页 |