| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 本课题研究的意义 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第18-21页 |
| 第二章 热载流子效应的物理机制及研究方法 | 第21-35页 |
| 2.1 基本物理机制 | 第21-27页 |
| 2.1.1 热载流子效应分类 | 第22-24页 |
| 2.1.2 碰撞电离 | 第24-25页 |
| 2.1.3 热载流子效应对SiO_2层的影响 | 第25-27页 |
| 2.2 基本物理模型 | 第27-31页 |
| 2.2.1 幸运电子模型 | 第27-29页 |
| 2.2.2 衬底电流模型 | 第29-31页 |
| 2.3 热载流子效应的研究方法 | 第31-34页 |
| 2.3.1 I-V特性测试方法 | 第32-33页 |
| 2.3.2 电荷泵测试技术 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 热载流子效应引起的器件性能退化研究 | 第35-57页 |
| 3.1 实验方案与Silvaco仿真方法 | 第35-38页 |
| 3.2 应力条件对NMOS器件性能的影响 | 第38-50页 |
| 3.2.1 应力条件对衬底电流特性曲线I_b-V_g的影响 | 第38-42页 |
| 3.2.2 应力条件对栅电流特性曲线I_g-V_g的影响 | 第42-45页 |
| 3.2.3 应力条件对转移特性曲线I_d-V_g的影响 | 第45-50页 |
| 3.3 器件尺寸对NMOSFET热载流子特性的影响 | 第50-56页 |
| 3.3.1 衬底电流与沟道尺寸的关系 | 第50-54页 |
| 3.3.2 基本特性退化与沟道长度的关系 | 第54-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 最坏HCI条件及SILC研究 | 第57-73页 |
| 4.1 最坏HCI应力条件的影响因素 | 第57-61页 |
| 4.2 HCI应力诱导栅泄漏研究 | 第61-69页 |
| 4.2.1 应力诱导泄漏电流SILC导电机制 | 第61-64页 |
| 4.2.2 最坏HCI应力下SILC退化研究 | 第64-69页 |
| 4.3 不同应力方式误差分析 | 第69-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
