| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展 | 第9-11页 |
| 1.2 SiC功率MOSFET的研究背景和应用现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 SiC功率MOSFET的研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2.2 SiC功率MOSFET的应用现状 | 第13-15页 |
| 1.3 论文的研究意义 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 SiC功率MOSFET的开关过程及特性 | 第17-29页 |
| 2.1 SiC功率MOSFET的结构及工作原理 | 第17-19页 |
| 2.2 SiC功率MOSFET的内部参数 | 第19-23页 |
| 2.2.1 直流参数 | 第19-21页 |
| 2.2.2 交流参数 | 第21-23页 |
| 2.3 SiC功率MOSFET的开关过程 | 第23-25页 |
| 2.4 SiC功率MOSFET的开关特性 | 第25-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 理解SiC功率MOSFET的开关损耗 | 第29-45页 |
| 3.1 提出质疑 | 第29-31页 |
| 3.2 开关损耗模型的建立 | 第31-33页 |
| 3.3 分析与结论 | 第33-44页 |
| 3.3.1 开通损耗分析 | 第33-36页 |
| 3.3.2 关断损耗分析 | 第36-38页 |
| 3.3.3 结论与验证 | 第38-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 SiC/SiO_2界面特性对SiC功率MOSFET损耗的影响 | 第45-57页 |
| 4.1 理论基础 | 第45-49页 |
| 4.1.1 能带模型 | 第45-46页 |
| 4.1.2 产生—复合 | 第46页 |
| 4.1.3 载流子寿命 | 第46-47页 |
| 4.1.4 载流子迁移率 | 第47页 |
| 4.1.5 氧化层电荷 | 第47-49页 |
| 4.2 模型的建立 | 第49-53页 |
| 4.2.1 迁移率模型的建立 | 第49-51页 |
| 4.2.2 器件模型和电路模型的建立 | 第51-53页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录一 插图清单 | 第63-64页 |
| 附录二 表格清单 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |