| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 多晶铁电薄膜 | 第9-14页 |
| 1.1.1 铁电体及其宏微观特性 | 第9-11页 |
| 1.1.2 铁电薄膜材料及其应用 | 第11-12页 |
| 1.1.3 铁电畴对多晶铁电材料性能的影响 | 第12-13页 |
| 1.1.4 存储器用多晶铁电薄膜及其研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2 铁电存储器概述 | 第14-18页 |
| 1.2.1 铁电存储器及其发展历程 | 第14-16页 |
| 1.2.2 铁电存储器的应用领域 | 第16-17页 |
| 1.2.3 铁电存储器的工作原理 | 第17-18页 |
| 1.3 铁电材料的研究方法 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的选题依据和主要内容 | 第19-21页 |
| 第2章 晶粒取向和晶界厚度对多晶铁电薄膜铁电性能的影响 | 第21-34页 |
| 2.1 多晶铁电薄膜的相场模型 | 第21-25页 |
| 2.2 晶粒取向对多晶铁电薄膜铁电性能的影响 | 第25-29页 |
| 2.2.1 晶粒取向对多晶铁电薄膜畴结构的影响 | 第25-26页 |
| 2.2.2 晶粒取向对多晶铁电薄膜电滞回线的影响 | 第26-29页 |
| 2.3 晶界厚度对多晶铁电薄膜铁电性能的影响 | 第29-33页 |
| 2.3.1 晶界厚度对多晶铁电薄膜畴结构的影响 | 第29-30页 |
| 2.3.2 晶界厚度对多晶铁电薄膜电滞回线的影响 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 晶界处电荷聚集对多晶铁电薄膜铁电性能的影响 | 第34-43页 |
| 3.1 晶界处电荷聚集的引入 | 第34-35页 |
| 3.2 电荷聚集对多晶铁电薄膜性能影响的模拟方法 | 第35页 |
| 3.3 电荷聚集对多晶铁电薄膜铁电性能的影响 | 第35-42页 |
| 3.3.1 电荷聚集对多晶铁电薄膜畴结构的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 电荷聚集对多晶铁电薄膜电滞回线的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.3 电荷聚集对多晶铁电薄膜畴翻转过程的影响 | 第38-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 晶粒取向和晶界对FeFET电学性能的影响 | 第43-55页 |
| 4.1 MFIS结构FeFET的模型建立 | 第43-45页 |
| 4.2 晶粒取向对FeFET电学性能的影响 | 第45-48页 |
| 4.2.1 晶粒取向对FeFET的P-V特性的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.2 晶粒取向对FeFET的C-V特性的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.3 晶粒取向对FeFET的输出特性的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 晶界厚度对FeFET电学性能的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.1 晶界厚度对FeFET的P-V特性的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.2 晶界厚度对FeFET的C-V特性的影响 | 第49页 |
| 4.3.3 晶界厚度对FeFET的输出特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 晶界处电荷聚集对FeFET电学性能的影响 | 第50-53页 |
| 4.4.1 晶界处电荷聚集对FeFET的P-V特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.4.2 晶界处电荷聚集对FeFET的C-V特性的影响 | 第51-52页 |
| 4.4.3 晶界处电荷聚集对FeFET的输出特性的影响 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的成果 | 第65页 |
