| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体功率器件的简介和发展 | 第9-14页 |
| 1.2.1 半导体功率器件的简介 | 第9-10页 |
| 1.2.2 半导体功率器件的发展 | 第10-11页 |
| 1.2.3 碳化硅功率器件的发展 | 第11-14页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 SiC MOSFET的特性 | 第15-26页 |
| 2.1 静态特性 | 第15-21页 |
| 2.1.1 直流特性 | 第15-19页 |
| 2.1.2 交流特性 | 第19-21页 |
| 2.2 开关特性 | 第21-22页 |
| 2.3 SiC MOSFET的选型 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 SiC MOSFET的驱动电路设计 | 第26-42页 |
| 3.1 驱动电源 | 第26-28页 |
| 3.2 PWM设计 | 第28-33页 |
| 3.2.1 SG3525 PWM | 第28-31页 |
| 3.2.2 TMS320F2812 DSP | 第31-33页 |
| 3.3 电气隔离设计 | 第33-35页 |
| 3.4 驱动芯片 | 第35-37页 |
| 3.5 驱动电阻 | 第37-39页 |
| 3.6 快速关断设计 | 第39-41页 |
| 3.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于SiC/Si MOSFET在BOOST变换器性能对比 | 第42-55页 |
| 4.1 直流电源系统 | 第42-43页 |
| 4.2 升压斩波电路工作原理 | 第43-45页 |
| 4.3 升压斩波电路主要器件选择 | 第45-47页 |
| 4.4 缓冲电路设计 | 第47-49页 |
| 4.5 SiC/Si MOSFET升压斩波电路开关实验 | 第49-51页 |
| 4.6 SiC/Si MOSFET升压斩波电路结温实验 | 第51-54页 |
| 4.7 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 关于SiC MOSFET的串并联分析研究 | 第55-68页 |
| 5.1 SiC MOSFET并联分析研究 | 第55-59页 |
| 5.1.1 静态电流均流分析 | 第55-57页 |
| 5.1.2 动态电流均流分析 | 第57页 |
| 5.1.3 SiC MOSFET并联应用于BOOST电路 | 第57-59页 |
| 5.2 SiC MOSFET串联分析研究 | 第59-66页 |
| 5.2.1 静态电压均压分析 | 第59-60页 |
| 5.2.2 动态电压均压分析 | 第60-62页 |
| 5.2.3 单信号驱动SiC MOSFET串联 | 第62-65页 |
| 5.2.4 SiC MOSFET串联应用于BOOST电路 | 第65-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 全文总结 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 附录一 插图清单 | 第73-75页 |
| 附录二 表格清单 | 第75-76页 |
| 附录三 程序清单 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
