| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 THz技术 | 第15-23页 |
| 1.1.1 THz技术特点 | 第16页 |
| 1.1.2 THz技术的应用 | 第16-18页 |
| 1.1.3 THz辐射源 | 第18-20页 |
| 1.1.4 传统的THz探测技术 | 第20-23页 |
| 1.2 本文的研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 等离子体波在场效应晶体管中的产生 | 第25-35页 |
| 2.1 两种产生等离子体波的FET器件 | 第25-27页 |
| 2.1.1 MOSFET概述 | 第25-26页 |
| 2.1.2 HEMT概述 | 第26-27页 |
| 2.2 等离子体波 | 第27-28页 |
| 2.2.1 等离子体 | 第27-28页 |
| 2.2.2 等离子波概述 | 第28页 |
| 2.3 场效应晶体管中的等离子体波 | 第28-34页 |
| 2.3.1 场效应晶体管中的等离子体波产生的基本原理 | 第28-29页 |
| 2.3.2 DYAKONOV-SHUR模型 | 第29-33页 |
| 2.3.3 关于DYAKONOV-SHUR模型的说明 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 等离子体波器件对THz辐射的非共振探测 | 第35-57页 |
| 3.1 等离子波THz探测器件 | 第35-37页 |
| 3.2 等离子体波FET非共振探测原理 | 第37-56页 |
| 3.2.1 基本方程和边界条件的确定 | 第38-39页 |
| 3.2.2 基本方程的求解 | 第39-46页 |
| 3.2.3 响应表达式的说明 | 第46-47页 |
| 3.2.4 修正后的基本方程 | 第47-49页 |
| 3.2.5 修正后的响应表达式 | 第49-55页 |
| 3.2.6 修正后的响应的分析和说明 | 第55-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 模型的分析 | 第57-71页 |
| 4.1 模型的对比分析 | 第57-63页 |
| 4.1.1 模型与Si MOSFET实验数据的对比 | 第57-60页 |
| 4.1.2 模型与GaN/AlGaN FET实验数据的对比 | 第60页 |
| 4.1.3 模型的对比 | 第60-62页 |
| 4.1.4 模型的误差分析 | 第62-63页 |
| 4.2 基于GaN/AlGaN FET的响应研究 | 第63-66页 |
| 4.2.1 k ' 对于响应曲线的影响 | 第63-65页 |
| 4.2.2 温度对于响应曲线的影响 | 第65-66页 |
| 4.2.3 参数η 对于响应曲线的影响 | 第66页 |
| 4.3 模型的适用范围 | 第66-68页 |
| 4.4 一些问题的说明 | 第68-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
