| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 氮化物及氮化镓介绍 | 第16-18页 |
| 1.1.1 氮化物优势 | 第16-17页 |
| 1.1.2 氮化镓的优势 | 第17-18页 |
| 1.2 GaN器件的研究进展 | 第18-21页 |
| 1.2.1 常规GaN器件和双异质结GaN研究进展 | 第18-19页 |
| 1.2.2 增强型GaN器件的研究进展 | 第19-21页 |
| 1.3 本论文的结构 | 第21-22页 |
| 第二章 GaN HEMT原理与工艺及仿真软件介绍 | 第22-32页 |
| 2.1 AlGaN/ GaN HEMT工作原理及增强型实现方法 | 第22-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的制备工艺 | 第26-29页 |
| 2.3 Silvaco软件介绍 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 不同氟等离子功率处理GaN双异质结器件仿真分析 | 第32-52页 |
| 3.1 双异质结器件与单异质结器件特性仿真对比 | 第32-35页 |
| 3.2 不同GaN沟道层厚度对器件特性的影响 | 第35-38页 |
| 3.3 常规氟功率处理器件特性对比 | 第38-44页 |
| 3.4 较低氟功率体处理器件特性对比 | 第44-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 135W氟等离子功率处理GaN双异质结器件实验分析 | 第52-78页 |
| 4.1 135W氟功率处理GaN双异质结器件退火前特性分析 | 第52-58页 |
| 4.1.1 135W氟功率处理GaN双异质结器件退火前直流特性 | 第53-56页 |
| 4.1.2 135W氟功率处理GaN双异质结器件退火前肖特基特性 | 第56-57页 |
| 4.1.3 135W氟功率处理GaN双异质结退火前CV特性 | 第57-58页 |
| 4.2 135W氟功率处理GaN双异质结器件退火后特性 | 第58-64页 |
| 4.2.1 135W氟功率处理GaN双异质结器件退火后直流特性 | 第58-61页 |
| 4.2.2 135W氟功率处理GaN双异质结器件退火后肖特基特性 | 第61-63页 |
| 4.2.3 135W氟功率处理GaN双异质结器件退火后CV特性 | 第63-64页 |
| 4.3 GaN双异质结变温特性分析 | 第64-76页 |
| 4.3.1 GaN双异质结器件变温直流特性 | 第64-69页 |
| 4.3.2 GaN双异质结器件变温肖特基特性 | 第69-75页 |
| 4.3.3 GaN双异质结器件变温DIBL效应 | 第75-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 总结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |
