| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-26页 |
| 1.1 课题背景 | 第13页 |
| 1.2 空间辐射环境 | 第13-15页 |
| 1.3 单粒子效应 | 第15-17页 |
| 1.4 功率MOSFET单粒子效应及加固方法 | 第17-19页 |
| 1.4.1 功率MOSFET单粒子烧毁效应原理及加固方法 | 第17-18页 |
| 1.4.2 功率MOSFET单粒子栅穿效应原理及加固方法 | 第18-19页 |
| 1.5 功率MOSFET单粒子效应及加固研究现状 | 第19-24页 |
| 1.5.1 国外研究现状 | 第19-22页 |
| 1.5.2 国内研究现状 | 第22-24页 |
| 1.6 本论文主要研究内容及章节安排 | 第24-26页 |
| 第2章 单粒子效应数值仿真 | 第26-40页 |
| 2.1 仿真数值模拟 | 第26-29页 |
| 2.1.1 基本方程 | 第26页 |
| 2.1.2 仿真物理模型 | 第26-29页 |
| 2.2 功率MOSFET基本特性 | 第29-32页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第29-30页 |
| 2.2.2 基本特性 | 第30-32页 |
| 2.3 单粒子效应模拟 | 第32-33页 |
| 2.3.1 传能线密度 | 第32页 |
| 2.3.2 电子空穴对分布函数 | 第32-33页 |
| 2.4 功率MOSFET单粒子烧毁及加固 | 第33-37页 |
| 2.4.1 SEB敏感入射位置 | 第33-34页 |
| 2.4.2 SEB性能表征 | 第34-35页 |
| 2.4.3 SEB加固方法 | 第35-37页 |
| 2.5 功率MOSFET单粒子栅穿及加固 | 第37-39页 |
| 2.5.1 SEGR敏感入射位置 | 第37-38页 |
| 2.5.2 SEGR性能表征 | 第38-39页 |
| 2.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 分裂栅增强功率UMOSFET单粒子效应研究 | 第40-59页 |
| 3.1 SGE-UMOSFET结构及仿真说明 | 第40-43页 |
| 3.2 SGE-UMOSFET的SEB仿真研究 | 第43-50页 |
| 3.2.1 SEB基本特性研究 | 第43-46页 |
| 3.2.2 SEB敏感触发区域及触发条件 | 第46-49页 |
| 3.2.3 SEB触发机理 | 第49-50页 |
| 3.3 SGE-UMOSFET的SEGR仿真研究 | 第50-54页 |
| 3.3.1 SEGR仿真方法 | 第50-51页 |
| 3.3.2 SEGR敏感触发区域及触发条件 | 第51-54页 |
| 3.4 SGE-UMOSFET与普通槽栅UMOSFET性能比较 | 第54-58页 |
| 3.4.1 基本特性比较 | 第54-55页 |
| 3.4.2 单粒子效应特性比较 | 第55-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第4章 新型槽栅UMOSFET及终端的SEB加固研究 | 第59-85页 |
| 4.1 三种器件结构及电学特性仿真 | 第59-65页 |
| 4.2 三种器件结构的SEB特性仿真 | 第65-75页 |
| 4.2.1 SEB最敏感入射位置 | 第65-67页 |
| 4.2.2 SEB加固原理 | 第67-71页 |
| 4.2.3 SEB性能表征 | 第71-75页 |
| 4.3 槽栅UMOSFET终端的SEB特性仿真 | 第75-84页 |
| 4.3.0 终端结构参数及基本特性 | 第75-78页 |
| 4.3.1 终端对SEB最敏感入射位置 | 第78-79页 |
| 4.3.2 终端SEB触发及加固机理 | 第79-83页 |
| 4.3.3 终端SEB性能表征 | 第83-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 第5章 基于局部载流子寿命控制的SEB加固研究 | 第85-104页 |
| 5.1 SEGR加固与普通功率VDMOSFET性能比较 | 第85-89页 |
| 5.1.1 结构及仿真说明 | 第85-86页 |
| 5.1.2 SEGR加固VDMOSFET工艺流程 | 第86-87页 |
| 5.1.3 基本特性比较 | 第87页 |
| 5.1.4 SEGR特性比较 | 第87-88页 |
| 5.1.5 SEB特性比较 | 第88-89页 |
| 5.2 载流子寿命控制方法 | 第89-92页 |
| 5.2.1 载流子寿命控制工艺方法与仿真描述 | 第89-90页 |
| 5.2.2 载流子寿命控制对基本特性的影响 | 第90-92页 |
| 5.3 载流子寿命控制对SEB特性影响 | 第92-101页 |
| 5.3.1 局部区域选择 | 第92-93页 |
| 5.3.2 载流子寿命控制加固机理 | 第93-95页 |
| 5.3.3 局部载流子寿命控制对SEB的加固作用 | 第95-99页 |
| 5.3.4 局部与全局载流子寿命控制 | 第99-101页 |
| 5.4 温度对载流子寿命控制的影响 | 第101-103页 |
| 5.5 本章小结 | 第103-104页 |
| 结论 | 第104-107页 |
| 参考文献 | 第107-117页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
