纳米光刻技术及其在三端结器件和纳米光栅偏振器中的应用
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
1 绪论 | 第11-30页 |
·纳米光刻技术研究概况 | 第12-20页 |
·极紫外光刻技术 | 第12-14页 |
·X射线光刻技术 | 第14-15页 |
·干涉光刻技术 | 第15-16页 |
·电子束光刻技术 | 第16-18页 |
·纳米压印技术 | 第18-20页 |
·三端结纳电子器件研究现状 | 第20-23页 |
·纳米光栅偏振器研究现状 | 第23-28页 |
·纳米光栅偏振器的理论设计研究 | 第23-24页 |
·纳米光栅偏振器的制作工艺研究 | 第24-27页 |
·纳米光栅偏振器的应用研究 | 第27-28页 |
·本文研究内容 | 第28-30页 |
2 电子束光刻工艺方法研究 | 第30-46页 |
·电子束散射基本理论 | 第30-34页 |
·电子束在抗蚀剂和基底材料中的散射 | 第30-31页 |
·电子束在抗蚀剂中的运动轨迹 | 第31-33页 |
·电子束光刻中的邻近效应及其校正 | 第33-34页 |
·电子束光刻中的场拼接 | 第34页 |
·硅基底清洗和氧化工艺 | 第34-37页 |
·硅基底清洗工艺 | 第35页 |
·硅基底氧化工艺 | 第35-37页 |
·电子束光刻工艺优化 | 第37-45页 |
·电子束抗蚀剂旋涂 | 第37-38页 |
·曝光剂量与图形设计结构的优化 | 第38-42页 |
·曝光场拼接精度的改善措施 | 第42-45页 |
·本章小结 | 第45-46页 |
3 纳米压印模板相关工艺研究 | 第46-64页 |
·引言 | 第46-48页 |
·压印模板制作工艺研究 | 第48-53页 |
·电子束光刻工艺 | 第49-50页 |
·金属蒸镀和剥离工艺 | 第50-52页 |
·干法刻蚀工艺 | 第52-53页 |
·压印模板表面抗粘层制备工艺 | 第53-56页 |
·压印模板表面清洁工艺方法研究 | 第56-62页 |
·模板清洁工艺试验 | 第56-58页 |
·热压印清洁工艺清理颗粒污染物 | 第58-59页 |
·紫外压印清洁工艺清理颗粒污染物 | 第59-61页 |
·热压印清洁工艺清理残胶污染物 | 第61-62页 |
·本章小结 | 第62-64页 |
4 热纳米压印工艺研究 | 第64-95页 |
·引言 | 第64-65页 |
·热纳米压印机理 | 第65-67页 |
·热压印压印胶工艺优化 | 第67-82页 |
·热压印压印胶工艺参数优化 | 第68-72页 |
·脱模过程中的拉伸机理分析 | 第72-73页 |
·残胶层工艺参数优化 | 第73-82页 |
·热压印塑料基底工艺优化 | 第82-86页 |
·基于软模板压印的高密度纳米网格结构制作工艺 | 第86-93页 |
·压印母模板制作工艺 | 第86-88页 |
·软塑料模板复制工艺 | 第88-89页 |
·硅光栅结构制作工艺 | 第89-92页 |
·高密度纳米网格结构制作工艺 | 第92-93页 |
·本章小结 | 第93-95页 |
5 硅基三端结纳电子器件的制作与性能测试 | 第95-107页 |
·引言 | 第95页 |
·三端结纳电子器件的基本输运原理 | 第95-98页 |
·SOI材料的载流子浓度和电子迁移率计算 | 第98-101页 |
·硅基三端结纳电子器件的制作与电学性能测试 | 第101-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
6 柔性双层金属纳米光栅偏振器的设计、制作与测试 | 第107-125页 |
·引言 | 第107页 |
·柔性双层金属纳米光栅偏振器的优化设计 | 第107-117页 |
·金属纳米光栅偏振器的设计理论 | 第108-109页 |
·柔性双层金属纳米光栅偏振器的优化设计 | 第109-117页 |
·柔性双层金属纳米光栅偏振器的制作工艺 | 第117-120页 |
·压印模板制作工艺 | 第117-119页 |
·柔性双层金属纳米光栅偏振器的制作工艺 | 第119-120页 |
·柔性双层金属纳米光栅偏振器偏振特性测试分析 | 第120-123页 |
·小结 | 第123-125页 |
7 结论与展望 | 第125-128页 |
·全文总结 | 第125-127页 |
·后继工作展望 | 第127-128页 |
参考文献 | 第128-139页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第139-141页 |
创新点摘要 | 第141-142页 |
致谢 | 第142-143页 |
作者简介 | 第143-144页 |