| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| §1-1 论文的选题背景 | 第8-9页 |
| §1-2 研究内容和意义 | 第9-12页 |
| 1-2-1 硅外延发展现状和趋势 | 第9-11页 |
| 1-2-2 课题研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 硅外延生长技术 | 第12-19页 |
| §2-1 硅外延生长的基本概念 | 第12-13页 |
| 2-1-1 外延的分类 | 第12页 |
| 2-1-2 外延生长方法及应用 | 第12-13页 |
| §2-2 硅外延生长技术的优越性 | 第13-14页 |
| 2-2-1 适用于外延的结构工艺 | 第13页 |
| 2-2-2 硅外延在 IC 发展技术中的作用 | 第13-14页 |
| §2-3 硅外延的原理 | 第14-19页 |
| 2-3-1 硅外延的步骤 | 第14-15页 |
| 2-3-2 影响硅外延生长的因素 | 第15-16页 |
| 2-3-3 硅外延生长的化学反应 | 第16-19页 |
| 第三章 硅外延反应设备 | 第19-23页 |
| §3-1 硅外延的设备类型 | 第19-20页 |
| §3-2 课题研究所用的硅外延系统 | 第20-22页 |
| §3-3 新型的外延设备TFW | 第22-23页 |
| 第四章 外延层质量的检测 | 第23-35页 |
| §4-1 外延层厚度的测量 | 第23-25页 |
| §4-2 外延层电阻率的测量 | 第25-30页 |
| 4-2-1 汞探针电容-电压法 | 第25-26页 |
| 4-2-2 二次谐波测试法 | 第26-30页 |
| §4-3 外延层杂质分布的测量-扩展电阻测量法 | 第30-31页 |
| §4-4 外延片夹层的测试 | 第31-32页 |
| 4-4-1 夹层 | 第31页 |
| 4-4-2 夹层的检测 | 第31-32页 |
| §4-5 外延片缺陷的检测 | 第32-35页 |
| 4-5-1 外延层缺陷的分类 | 第32-33页 |
| 4-5-2 内部缺陷的产生及消除办法 | 第33-34页 |
| 4-5-3 微缺陷 | 第34页 |
| 4-5-4 外延层缺陷检验方法 | 第34-35页 |
| 第五章 P 型硅外延片工艺技术的研究 | 第35-44页 |
| §5-1 P 硅外延片的厚度一致性问题 | 第35-38页 |
| 5-1-1 P/P+硅外延片的厚度一致性存在的问题 | 第35-36页 |
| 5-1-2 外延生长速率与其影响因素之间的关系 | 第36-37页 |
| 5-1-3 实验及结果 | 第37-38页 |
| §5-2 P 型硅外延片电阻率一致性存在的问题 | 第38-44页 |
| 5-2-1 外延生长中的自掺杂和固态扩散（外扩散） | 第38-39页 |
| 5-2-2 减少自掺杂的方法 | 第39-40页 |
| 5-2-3 两步生长法 | 第40页 |
| 5-2-4 实验及结果 | 第40-44页 |
| 第六章 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第50页 |