| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| §1-1 引言 | 第9-10页 |
| §1-2 GaN 材料的结构与性质 | 第10-14页 |
| 1-2-1 GaN 的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1-2-2 GaN 的物理性质 | 第11页 |
| 1-2-3 GaN 的化学性质 | 第11-12页 |
| 1-2-4 GaN 的光学性质 | 第12页 |
| 1-2-5 GaN 的电学性质 | 第12-13页 |
| 1-2-6 GaN 的能带结构 | 第13-14页 |
| §1-3 GaN 材料的制备方法 | 第14-17页 |
| 1-3-1 金属有机物化学汽相淀积（MOCVD）技术 | 第14-15页 |
| 1-3-2 分子束外延(MBE)技术 | 第15-16页 |
| 1-3-3 氨热法（Ammonothermal） | 第16-17页 |
| 1-3-4 氢化物气相外延(HVPE)技术 | 第17页 |
| §1-4 GaN 材料与器件的广泛应用前景 | 第17-19页 |
| §1-5 国内外研究现状 | 第19-20页 |
| §1-6 本文研究的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 HVPE 系统与 GaN 材料的表征方法 | 第21-28页 |
| §2-1 HVPE 生长方法 | 第21-23页 |
| 2-1-1 HVPE 的发展历史 | 第21-22页 |
| 2-1-2 HVPE 系统结构及工作原理 | 第22-23页 |
| §2-2 半导体晶体测试技术 | 第23-28页 |
| 2-2-1 X 射线衍射（XRD） | 第23-24页 |
| 2-2-2 扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| 2-2-3 原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| 2-2-4 光致发光谱（PL 谱） | 第26页 |
| 2-2-5 微分干涉显微镜（DIC） | 第26-28页 |
| 第三章 蓝宝石衬底生长 GaN 工艺的研究 | 第28-36页 |
| §3-1 衬底偏角对晶体质量的影响 | 第28-30页 |
| 3-1-1 实验 | 第28页 |
| 3-1-2 结果与讨论 | 第28-30页 |
| §3-2 NH_3与HCl 流量对晶体质量的影响 | 第30-32页 |
| 3-2-1 实验部分 | 第30页 |
| 3-2-1 结果与讨论 | 第30-32页 |
| §3-3 载气对晶体质量的影响 | 第32-35页 |
| 3-3-1 实验部分 | 第32页 |
| 3-3-2 结果与讨论 | 第32-35页 |
| §3-4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 GaAs 衬底外延 GaN 的工艺研究 | 第36-45页 |
| §4-1 选择GaAs 衬底的优势 | 第36-37页 |
| §4-2 GaAs 衬底氮化的作用 | 第37-41页 |
| 4-2-1 实验部分 | 第37-38页 |
| 4-2-2 结果与讨论 | 第38-41页 |
| §4-3 生长中插入缓冲层的研究 | 第41-44页 |
| 4-3-1 实验部分 | 第41页 |
| 4-3-2 结果与讨论 | 第41-44页 |
| §4-4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 激光剥离技术的研究 | 第45-53页 |
| §5-1 激光剥离技术的基本原理 | 第45-46页 |
| §5-2 温度对剥离质量的影响 | 第46-47页 |
| §5-3 剥离过程中激光能量与光斑的控制 | 第47-50页 |
| 5-3-1 激光输出能量 | 第47-48页 |
| 5-3-2 光斑面积大小 | 第48-49页 |
| 5-3-3 光斑重合度的影响 | 第49-50页 |
| §5-4 剥离过程中激光扫描路线的研究 | 第50-51页 |
| 5-4-1 实验部分 | 第50页 |
| 5-4-2 结果与讨论 | 第50-51页 |
| §5-5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第60页 |