| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| ·半导体光电子器件的研究现状与发展趋势 | 第11-13页 |
| ·GaAs基光电子器件的发展现状与趋势 | 第13-16页 |
| ·InGaNAs光电子材料的研究现状 | 第16-18页 |
| ·本论文的结构安排 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 InGaNAs材料体系的理论模型和计算方法 | 第24-37页 |
| ·InGaNAs光电子材料的理论模型 | 第24-25页 |
| ·基础理论 | 第25-27页 |
| ·密度泛函理论(Density Functional Theory) | 第25-27页 |
| ·第一性原理(First-principle) | 第27页 |
| ·能带理论计算及应用 | 第27-32页 |
| ·平面波赝势法 | 第27-29页 |
| ·几何优化 | 第29-30页 |
| ·能带结构 | 第30页 |
| ·态密度 | 第30-32页 |
| ·布居分析 | 第32页 |
| ·GaAs/InGaAs/InGaNAs体系的计算方法 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 GaAs/InGaAs/InGaNAs的几何优化和电子结构 | 第37-50页 |
| ·GaAs/InGaAs/InGaNAs的几何结构优化 | 第37-39页 |
| ·In_xGa_(1-x)As的电子结构 | 第39-44页 |
| ·In_xGa_(1-x)As的能带结构 | 第39-41页 |
| ·In_xGa_(1-x)As的态密度 | 第41-44页 |
| ·In_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)的电子结构 | 第44-47页 |
| ·In_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)的能带结构 | 第44-46页 |
| ·In_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)的态密度 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 InGaNAs材料的光学性质 | 第50-58页 |
| ·介电常数虚部ε_2(ω) | 第50-53页 |
| ·其它光学参数的研究 | 第53-56页 |
| ·能量损失谱L(ω) | 第53-54页 |
| ·吸收系数α(ω) | 第54页 |
| ·折射率n(ω) | 第54-55页 |
| ·反射率R(ω) | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 Ⅲ-Ⅴ族元素掺杂其它体系的光电性质研究 | 第58-72页 |
| ·SnO_2材料的研究简述 | 第58页 |
| ·Sb_xSn_(1-x)O_2的理论模型和计算方法 | 第58-59页 |
| ·Sb_xSn_(1-x)O_2的几何结构 | 第59-61页 |
| ·Sb_xSn_(1-x)O_2的电子结构 | 第61-64页 |
| ·Sb_xSn_(1-x)O_2的光学性质 | 第64-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
