Ⅳ-Ⅵ族量子点材料的钝化对光电特性的作用机制

摘要	第1-7页
Abstract	第7-9页
目录	第9-11页
第一章 Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点材料的发展现状	第11-17页
·引言	第11页
·Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的特点	第11-12页
·钝化的概念及其作用	第12-13页
·Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点的制备	第13-15页
·Ⅳ-Ⅵ族半导体的应用	第15-16页
·本文研究的内容和意义	第16-17页
第二章 计算的理论和方法	第17-26页
·密度泛函理论的基本框架	第18-24页
·密度泛函计算软件MS.Dmol~3软件包	第24页
·密度泛函计算软件MS.Castep软件包	第24-26页
第三章 Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点物理特性	第26-36页
·Pb_nSe_n的结构特性	第26-27页
·Pb_nSe_n的电子特性	第27-31页
·球形量子点的消光频谱	第31-35页
·总结	第35-36页
第四章 Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点钝化特性	第36-66页
·H钝化的结果	第36-40页
·O钝化的结果	第40-43页
·N钝化的结果	第43-47页
·Cl钝化的结果	第47-50页
·Br钝化的结果	第50-54页
·F钝化的结果	第54-58页
·PbS的H钝化结果	第58-61页
·PbS的H钝化结果	第61-64页
·总结	第64-66页
第五章 总结与展望	第66-68页
·总结	第66页
·今后工作的展望	第66-68页
参考文献	第68-74页
致谢	第74-75页
硕士期间发表论文	第75页