| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·硅单晶中的轻元素杂质和的缺陷 | 第9-14页 |
| ·硅单晶中的轻元素杂质 | 第9-12页 |
| ·硅单晶中的缺陷 | 第12-14页 |
| ·电子辐照技术 | 第14-18页 |
| ·电子辐照缺陷产生机理 | 第14-16页 |
| ·硅单晶的电子辐照缺陷 | 第16-18页 |
| ·傅里叶红外光谱技术 | 第18-22页 |
| ·常温红外光谱技术的应用 | 第18-22页 |
| ·低温红外光谱技术的应用 | 第22页 |
| ·本文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验过程 | 第24-29页 |
| ·样品处理 | 第24页 |
| ·电子辐照 | 第24-25页 |
| ·常规热处理 | 第25-26页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析 | 第26-29页 |
| 第三章 电子辐照直拉硅中 VO 、V0_2 缺陷团的研究 | 第29-40页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验过程 | 第29-30页 |
| ·实验结果与讨论 | 第30-39页 |
| ·单晶硅中O、C 的红外分析 | 第30-34页 |
| ·电子辐照直拉硅中VO 的退火行为 | 第34-36页 |
| ·电子辐照直拉硅中VO、V0_2 缺陷之间的转换 | 第36-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第四章 直拉硅中 VO 缺陷的量化及 VO_n 缺陷的低温红外分析 | 第40-52页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·实验过程 | 第40-41页 |
| ·实验结果与讨论 | 第41-50页 |
| ·电子辐照直拉硅中VO 缺陷的量化分析 | 第41-49页 |
| ·电子辐照直拉硅中VO_n 的红外光谱分析 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |