| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·非晶硅薄膜简介 | 第8-11页 |
| ·非晶硅薄膜 | 第8页 |
| ·非晶硅薄膜的应用 | 第8-9页 |
| ·非晶硅薄膜的结构特性 | 第9页 |
| ·非晶硅薄膜的光学特性 | 第9-10页 |
| ·非晶硅薄膜的电学特性 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·非晶硅薄膜制备方法简介 | 第13-14页 |
| ·常压化学气相沉积(APCVD) | 第13页 |
| ·直流磁控溅射(DC reactive magnetron sputtering) | 第13页 |
| ·微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR-CVD) | 第13页 |
| ·触媒化学气相沉积(Cat-CVD) | 第13-14页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第14页 |
| ·本文研究的内容及意义 | 第14-16页 |
| 第二章 实验原理、设备及设计 | 第16-24页 |
| ·实验设计原理 | 第16-17页 |
| ·等离子体的性质 | 第16页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积原理 | 第16-17页 |
| ·等离子增强化学气相沉积系统 | 第17-19页 |
| ·气路控制系统 | 第17-18页 |
| ·反应室系统 | 第18页 |
| ·射频系统 | 第18页 |
| ·抽气系统 | 第18-19页 |
| ·实验设计及流程 | 第19-21页 |
| ·样晶制备材料和衬底预处理 | 第19页 |
| ·实验步骤 | 第19-20页 |
| ·实验设计 | 第20-21页 |
| ·非晶硅薄膜表征方法 | 第21-23页 |
| ·X-射线衍射仪(XRD) | 第21-22页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第22页 |
| ·显微激光拉曼光谱仪(Raman) | 第22页 |
| ·直流四探针分测试析仪 | 第22页 |
| ·薄膜分析测试仪(NKD) | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第三章 非晶硅薄膜的实验制备 | 第24-34页 |
| ·正交实验分析 | 第24-27页 |
| ·较好样品分析 | 第24-26页 |
| ·其他样品分析 | 第26-27页 |
| ·衬底温度对非晶硅薄膜性能的影响 | 第27-28页 |
| ·硅烷流量对非晶硅薄膜性能的影响 | 第28-30页 |
| ·射频功率对非晶硅薄膜性能的影响 | 第30-31页 |
| ·两板间距离对非晶硅薄膜性能的影响 | 第31-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 非晶硅薄膜的光电性质 | 第34-54页 |
| ·衬底温度对非晶硅薄膜光电性质的影响 | 第34-38页 |
| ·衬底温度对非晶硅薄膜光学性质的影响 | 第34-37页 |
| ·衬底温度对非晶硅薄膜导电性能的影响 | 第37-38页 |
| ·硅烷流量对非晶硅薄膜光电性质的影响 | 第38-43页 |
| ·硅烷流量对非晶硅薄膜光学性质的影响 | 第38-42页 |
| ·硅烷流量对非晶硅薄膜导电性能的影响 | 第42-43页 |
| ·射频功率对非晶硅薄膜光电性质的影响 | 第43-48页 |
| ·射频功率对非晶硅薄膜光学性质的影响 | 第43-47页 |
| ·射频功率对非晶硅薄膜导电性能的影响 | 第47-48页 |
| ·两极板间距离对非晶硅薄膜的光电性质影响 | 第48-53页 |
| ·两极板间距离对非晶硅薄膜光学性质的影响 | 第48-52页 |
| ·两极板间距离对非晶硅薄膜导电性能的影响 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| ·总结 | 第54-55页 |
| ·存在的问题及下一步工作打算 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60页 |