Ⅲ-Ⅴ族半导体AlAs中的过渡金属团簇的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| ·稀磁半导体的研究和发展 | 第6-9页 |
| ·点缺陷 | 第6-8页 |
| ·稀磁半导体的分类和物理性质 | 第8-9页 |
| ·稀磁半导体的研究历程 | 第9页 |
| ·本论文的选题背景、意义及研究内容 | 第9-11页 |
| ·选题背景和意义 | 第9-10页 |
| ·本论文的研究内容 | 第10-11页 |
| 参考文献 | 第11-14页 |
| 第二章 理论基础 | 第14-20页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第14-16页 |
| ·绝热近似 | 第14-15页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第15页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第15-16页 |
| ·计算方法基础 | 第16-19页 |
| ·LCAO 和赝势 | 第16-17页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第17页 |
| ·常用计算软件简介 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第三章 Cr:AlAs 中单取代和双取代的研究 | 第20-39页 |
| ·引言 | 第20-26页 |
| ·Cr:AlN 的研究情况 | 第20-24页 |
| ·Cr:GaN 的研究情况 | 第24-26页 |
| ·计算细节和结果分析 | 第26-35页 |
| ·计算参数设定和测试 | 第26-28页 |
| ·Cr:AlAs 中Cr 团簇结构及其影响 | 第28-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第四章 Cr:AlAs 中多取代的研究 | 第39-45页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·计算细节和结果分析 | 第39-43页 |
| ·双取代计算结果 | 第40-42页 |
| ·三取代计算结果 | 第42页 |
| ·四取代计算结果 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第五章 总结 | 第45-46页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
