| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| ·研究的背景与意义 | 第9-10页 |
| ·本研究的目的 | 第10页 |
| ·本研究的结构安排 | 第10-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-29页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·直拉单晶硅中的氧 | 第11-16页 |
| ·硅中氧的引入 | 第12-13页 |
| ·氧的基本性质 | 第13-15页 |
| ·硅中氧的测量 | 第15-16页 |
| ·硅中的氧沉淀 | 第16-22页 |
| ·氧沉淀的热力学与动力学 | 第17-18页 |
| ·氧沉淀的形貌 | 第18-19页 |
| ·氧沉淀诱生的缺陷 | 第19-21页 |
| ·氧沉淀形成的影响因素 | 第21-22页 |
| ·直拉单晶硅中的内吸杂 | 第22-24页 |
| ·硅中的氮 | 第24-25页 |
| ·快速热处理(RTP) | 第25-27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第三章 实验设备和实验样品 | 第29-37页 |
| ·实验样品 | 第29-30页 |
| ·轻掺CZ、NCZ和FZ硅样品 | 第29页 |
| ·样品制备和预处理 | 第29-30页 |
| ·热处理设备和样品制备 | 第30-32页 |
| ·普通热处理炉 | 第30页 |
| ·快速热处理设备(RTP) | 第30-32页 |
| ·分析测试设备与方法 | 第32-37页 |
| ·间隙氧浓度测量与傅里叶红外光谱仪(FTIR) | 第32-33页 |
| ·四探针测试仪 | 第33页 |
| ·硅中缺陷的择优腐蚀与表征 | 第33-34页 |
| ·光学显微镜(OM) | 第34页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第34-37页 |
| 第四章 经过快速热处理注入硅中的氮的状态研究 | 第37-45页 |
| ·前言 | 第37-38页 |
| ·实验 | 第38页 |
| ·高纯氮气氛中RTP对氮内扩散的影响 | 第38-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 基于氮气氛下快速热处理的低热预算内吸杂工艺 | 第45-55页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·RTP加低高两步退火内吸杂工艺 | 第46-47页 |
| ·RTP加单步退火的内吸杂工艺 | 第47-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 高温快速热处理对300毫米掺氮直拉单晶硅中氧化诱生层错的影响 | 第55-61页 |
| ·前言 | 第55页 |
| ·实验 | 第55-56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第七章 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 个人简历 | 第73-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第75页 |