| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9-13页 |
| ·LED 的性能特点 | 第9-11页 |
| ·LED 的发展历史 | 第11-13页 |
| ·影响LED 性能的关键因素及其研究进展 | 第13-18页 |
| ·极化效应 | 第13-15页 |
| ·应力效应 | 第15-18页 |
| ·纳米结构LEDs 的研究进展 | 第18页 |
| ·本文的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 实验方案和分析技术 | 第20-30页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·外延生长设备 | 第21-25页 |
| ·MOCVD 原理 | 第22页 |
| ·MOCVD 系统 | 第22-25页 |
| ·表征技术 | 第25-29页 |
| ·高分辨X 射线衍射仪（HRXRD） | 第25-27页 |
| ·光致荧光谱测试技术 | 第27页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第28页 |
| ·电致发光谱测试技术 | 第28-29页 |
| ·LEDs I-V 特性测试技术 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 常规平面 GaN 基 LED 外延片生长及性能研究 | 第30-45页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·LED 结构材料阱层InGaN 薄膜的外延生长 | 第30-35页 |
| ·实验设计 | 第30-31页 |
| ·实验结果与分析 | 第31-35页 |
| ·Mg 掺杂的p-GaN 生长研究 | 第35-38页 |
| ·实验设计 | 第36页 |
| ·实验结果与分析 | 第36-38页 |
| ·LED 结构材料p-GaN 层外延生长 | 第38-43页 |
| ·实验设计 | 第39-40页 |
| ·实验结果与分析 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 GaN 纳米柱基 LED 的外延生长及性能 | 第45-54页 |
| ·GaN 纳米柱模版制作 | 第45-46页 |
| ·LED 结构外延片生长过程 | 第46-47页 |
| ·LED 器件制作工艺 | 第47-49页 |
| ·GaN 基LED 外延片性能测试 | 第49-52页 |
| ·GaN 纳米柱基LED 外延片的光致发光谱 | 第49-51页 |
| ·GaN 纳米柱基LED 外延片的电致发光谱 | 第51-52页 |
| ·GaN 纳米柱基LED 芯片性能 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |