SOI横向超结器件耐压理论研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·超结器件结构的研究进展 | 第10-11页 |
| ·纵向超结功率器件的理论分析 | 第11-15页 |
| ·横向超结功率器件 | 第15-17页 |
| ·本论文的主要工作和创新 | 第17-20页 |
| 第二章 SOI横向超结器件的表面势场分布模型 | 第20-42页 |
| ·电荷平衡结构 | 第20-27页 |
| ·解析模型 | 第21-25页 |
| ·模型验证 | 第25-27页 |
| ·浓度非平衡结构 | 第27-32页 |
| ·解析模型 | 第27-30页 |
| ·模型验证 | 第30-32页 |
| ·宽度非平衡结构 | 第32-34页 |
| ·解析模型 | 第33-34页 |
| ·模型验证 | 第34页 |
| ·完全非平衡结构 | 第34-36页 |
| ·解析模型 | 第35-36页 |
| ·模型验证 | 第36页 |
| ·浓度线性缓变结构 | 第36-38页 |
| ·解析模型 | 第37-38页 |
| ·模型验证 | 第38页 |
| ·宽度线性缓变结构 | 第38-41页 |
| ·解析模型 | 第38-40页 |
| ·模型验证 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 结构参数对表面势场分布的影响 | 第42-54页 |
| ·n/p区浓度变化对表面势场分布影响 | 第42-45页 |
| ·电荷平衡结构 | 第42-43页 |
| ·浓度非平衡结构 | 第43-44页 |
| ·浓度线性缓变结构 | 第44-45页 |
| ·n/p区宽度变化对表面势场的影响 | 第45-48页 |
| ·电荷平衡结构 | 第45-46页 |
| ·浓度非平衡结构 | 第46-47页 |
| ·宽度非平衡结构 | 第47-48页 |
| ·顶层硅与埋氧层厚度变化对表面势场的影响 | 第48-50页 |
| ·电荷平衡情况 | 第48页 |
| ·浓度非平衡结构 | 第48-50页 |
| ·漂移区长度变化对表面势场的影响 | 第50-52页 |
| ·电荷平衡结构 | 第51页 |
| ·浓度非平衡结构 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 击穿电压模型与 RESURF判据 | 第54-69页 |
| ·击穿电压模型 | 第54-58页 |
| ·电荷平衡结构的击穿电压模型 | 第54-55页 |
| ·浓度非平衡结构的击穿电压模型 | 第55-57页 |
| ·宽度非平衡结构的击穿电压模型 | 第57页 |
| ·宽度线性缓变结构的击穿电压模型 | 第57-58页 |
| ·RESURF判据 | 第58-64页 |
| ·浓度非平衡结构的 RESURF判据 | 第59-61页 |
| ·宽度非平衡结构的 RESURF判据 | 第61-62页 |
| ·宽度线性缓变结构的 RESURF判据 | 第62-64页 |
| ·RESURF判据的应用 | 第64-67页 |
| ·导通电阻 | 第64-66页 |
| ·BFOM值 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 作者在攻读硕士研究生期间发表的论文 | 第76页 |
