| 摘要 | 第1-5页 |
| abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·GaN 材料的性质及应用 | 第9-11页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第9-10页 |
| ·GaN 材料的主要应用 | 第10-11页 |
| ·GaN 衬底材料的制备方法 | 第11-12页 |
| ·HVPE 生长系统的介绍 | 第12-16页 |
| ·HVPE 技术制备GaN 材料的概述 | 第12页 |
| ·HVPE 设备的设计与分类 | 第12-15页 |
| ·用于本课题研究的垂直式HVPE 生长系统 | 第15-16页 |
| ·本文主要研究工作 | 第16-17页 |
| 第二章 计算流体力学相关知识以及HVPE 模型的建立 | 第17-27页 |
| ·计算流体力学相关知识 | 第17-21页 |
| ·计算流体力学及其发展 | 第17页 |
| ·计算流体力学基本控制方程及离散方法 | 第17-21页 |
| ·FLUENT 软件群介绍 | 第21-23页 |
| ·Gambit 软件介绍 | 第21-22页 |
| ·FLUENT 软件介绍 | 第22-23页 |
| ·HVPE 反应室模型的建立 | 第23-25页 |
| ·二维模型 | 第23-25页 |
| ·三维模型 | 第25页 |
| ·小结 | 第25-27页 |
| 第三章 HVPE 反应室的二维模拟 | 第27-36页 |
| ·HVPE 反应室中温场的调试 | 第27-30页 |
| ·计算模型 | 第27页 |
| ·无流场时反应室中温场的调试 | 第27-28页 |
| ·流场对温场的影响及温场的调试 | 第28-30页 |
| ·衬底高度的改变对浓度场的影响 | 第30-35页 |
| ·计算模型 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 HVPE 反应室的三维模拟 | 第36-59页 |
| ·衬底高度对于流场的影响 | 第36-40页 |
| ·计算模型 | 第36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-40页 |
| ·反应物流量对GaN 合成速率的影响 | 第40-43页 |
| ·计算模型 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-43页 |
| ·载气对于GaN 平均表面沉积率的影响 | 第43-50页 |
| ·计算模型 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-50页 |
| ·衬底转速对于浓度场的影响 | 第50-53页 |
| ·计算模型 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-53页 |
| ·HVPE 反应室的优化 | 第53-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |