湿法刻蚀制备黑硅及性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-24页 |
| ·黑硅的发展及概况 | 第10-11页 |
| ·黑硅的制备方法 | 第11-17页 |
| ·多孔黑硅 | 第11-13页 |
| ·反应离子刻蚀（RIE） | 第13-16页 |
| ·飞秒激光器照射法 | 第16-17页 |
| ·黑硅的性能和应用前景 | 第17-22页 |
| ·超高的光吸收率 | 第17-19页 |
| ·良好的场致发射特性 | 第19-20页 |
| ·光致发光性性能 | 第20-21页 |
| ·作为硅体材料之间的固体连接剂 | 第21-22页 |
| ·黑硅的研究现状 | 第22页 |
| ·本文研究的内容和意义 | 第22-24页 |
| 第二章 湿法刻蚀的原理 | 第24-31页 |
| ·各向异性刻蚀的原理 | 第24-28页 |
| ·各向异性刻蚀介绍 | 第24-25页 |
| ·各向异性刻蚀的机理 | 第25-28页 |
| ·各向同性刻蚀的原理 | 第28-31页 |
| ·各向同性刻蚀的介绍 | 第28-29页 |
| ·各向同性刻蚀的理论模型 | 第29-31页 |
| 第三章 实验方案的设计和参数的选择 | 第31-41页 |
| ·实验方案的设计 | 第31页 |
| ·光刻制备Si_3N_4 掩膜 | 第31-35页 |
| ·光刻的流程 | 第32页 |
| ·掩膜材料的选择 | 第32-35页 |
| ·光刻后形成的Si3N4 掩膜层的形貌 | 第35页 |
| ·硅片的碱刻蚀 | 第35-38页 |
| ·实验药品和仪器 | 第35-36页 |
| ·实验步骤 | 第36页 |
| ·实验参数的选择 | 第36-38页 |
| ·硅片酸处理 | 第38-41页 |
| ·实验药品和仪器 | 第38-39页 |
| ·实验步骤及参数的选择 | 第39页 |
| ·硅片酸处理的原理 | 第39-41页 |
| 第四章 黑硅的形貌及光吸收率研究 | 第41-54页 |
| ·测试设备的介绍 | 第41-43页 |
| ·碱刻蚀对硅片表面形貌的改变和光吸收率的影响 | 第43-47页 |
| ·碱刻蚀后硅片表面形貌分析 | 第43-45页 |
| ·碱刻蚀后样品光吸收率分析 | 第45-47页 |
| ·酸处理对硅片表面形貌的改变和光吸收率的影响 | 第47-50页 |
| ·酸处理后样品表面形貌分析 | 第48-50页 |
| ·酸处理后样品光吸收率分析 | 第50页 |
| ·不同刻蚀方法对硅片表面吸收率的影响 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 黑硅的光电性能的研究 | 第54-62页 |
| ·电极的设计 | 第54-55页 |
| ·样品的制备 | 第55-58页 |
| ·实验方案的设计与样品的制备 | 第55-57页 |
| ·实验流程 | 第55页 |
| ·制备电极的工艺流程图 | 第55-56页 |
| ·电极制备中光刻工艺的研究 | 第56-57页 |
| ·MSM 结构光探测器的电极形貌 | 第57-58页 |
| ·黑硅的光电性能测试 | 第58-60页 |
| ·测试设备介绍 | 第58页 |
| ·黑硅的光电性能性测试 | 第58-59页 |
| ·探测器光电性能分析 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·实验结论 | 第62-63页 |
| ·未来展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
