摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-14页 |
符号说明 | 第14-16页 |
第一章 绪论 | 第16-22页 |
·功率器件概况 | 第16-18页 |
·SiC 材料物理特性 | 第18-20页 |
·SiC 功率器件的现状与研究难点 | 第20-21页 |
·本文研究的主要内容和意义 | 第21-22页 |
第二章 TCAD 软件与器件模型简介 | 第22-29页 |
·TCAD 软件简介 | 第22-23页 |
·软件模型 | 第23-28页 |
·SiC 材料模型 | 第23页 |
·迁移率模型 | 第23-25页 |
·载流子运输模型 | 第25-26页 |
·载流子复合模型 | 第26-27页 |
·碰撞电离模型 | 第27-28页 |
·温度模型 | 第28页 |
·本章小结 | 第28-29页 |
第三章 SiC-MOSFET 功率器件设计与 Si-IGBT 功率器件可替代性讨论 | 第29-41页 |
·功率 SiC-MOSFET 简介 | 第29页 |
·本章研究的主要工作 | 第29-30页 |
·SiC-MOSFET 功率器件工作原理 | 第30-32页 |
·SiC-MOSFET 功率器件结构设计 | 第32-35页 |
·漂移区厚度计算 | 第32-33页 |
·阈值电压的分析 | 第33页 |
·SiC-MOSFET 导通电阻的分析 | 第33-34页 |
·SiC-MOSFET 结构和 Si-IGBT 结构参数 | 第34-35页 |
·SiC-MOSFET 和 Si-IGBT 器件参数验证 | 第35-37页 |
·SiC-MOSFET 和 Si-IGBT 击穿电压的验证 | 第35-36页 |
·SiC-MOSFET 和 Si-IGBT 阈值电压的验证 | 第36-37页 |
·SiC-MOSFET 和 Si-IGBT 器件可代替性讨论 | 第37-40页 |
·导通特性的讨论 | 第37-38页 |
·关断特性的讨论 | 第38-39页 |
·热学特性的讨论 | 第39-40页 |
·本章小节 | 第40-41页 |
第四章 SiC-IGBT 功率器件设计与分析 | 第41-65页 |
·IGBT 简介和研究背景 | 第41-45页 |
·IGBT 简介 | 第41-44页 |
·SiC-IGBT 研究背景 | 第44-45页 |
·本章研究的主要工作 | 第45页 |
·SiC-IGBT 工艺过程以及结构设计 | 第45-54页 |
·SiC-IGBT 漂移区厚度计算 | 第45-46页 |
·SiC-LIGBT 工艺实现过程 | 第46-48页 |
·SiC-DIGBT 工艺实现过程 | 第48-51页 |
·SiC-UIGBT 工艺实现过程 | 第51-54页 |
·SiC-IGBT 器件 TCAD 计算模拟 | 第54-63页 |
·阈值电压的模拟 | 第54-56页 |
·导通特性的分析 | 第56-57页 |
·关断特性的模拟 | 第57-62页 |
·SiC-IGBT 击穿电压的模拟 | 第62页 |
·热学特性的讨论 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-65页 |
第五章 新型 SiC-SBD 结构的模拟与分析 | 第65-77页 |
·SiC-SBD(肖特基二极管)简介 | 第65-67页 |
·肖特基二极管的工作原理 | 第65-66页 |
·肖特基二极管的器件结构 | 第66-67页 |
·本章主要研究工作 | 第67页 |
·SiC-SBD 理论分析 | 第67-70页 |
·金属与半导体能带理论 | 第67-69页 |
·SBD 正向导通时电子运输方式 | 第69-70页 |
·新型结构 SBD 电学特性的模拟 | 第70-75页 |
·器件结构参数 | 第70-71页 |
·Si-SBD 器件与常规 SiC-SBD 器件 VI 特性模拟 | 第71-72页 |
·单一斜面结构 4H-SiC 材料肖特基二极管的 V-I 特性曲线 | 第72-73页 |
·带有场环斜面结构 SiC-SBD 的结构参数 | 第73-74页 |
·带有场环斜面结构 SiC-SBD 的电学特性分析 | 第74-75页 |
·本章小结 | 第75-77页 |
第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-82页 |
致谢 | 第82-83页 |
研究成果及发表的学术论文 | 第83-84页 |
导师简介 | 第84页 |
作者简介 | 第84-85页 |
硕士研究生学位谂文答辩委员会决议书 | 第85-86页 |