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siC功率器件特性研究与模拟分析

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-14页
符号说明第14-16页
第一章 绪论第16-22页
   ·功率器件概况第16-18页
   ·SiC 材料物理特性第18-20页
   ·SiC 功率器件的现状与研究难点第20-21页
   ·本文研究的主要内容和意义第21-22页
第二章 TCAD 软件与器件模型简介第22-29页
   ·TCAD 软件简介第22-23页
   ·软件模型第23-28页
     ·SiC 材料模型第23页
     ·迁移率模型第23-25页
     ·载流子运输模型第25-26页
     ·载流子复合模型第26-27页
     ·碰撞电离模型第27-28页
     ·温度模型第28页
   ·本章小结第28-29页
第三章 SiC-MOSFET 功率器件设计与 Si-IGBT 功率器件可替代性讨论第29-41页
   ·功率 SiC-MOSFET 简介第29页
   ·本章研究的主要工作第29-30页
   ·SiC-MOSFET 功率器件工作原理第30-32页
   ·SiC-MOSFET 功率器件结构设计第32-35页
     ·漂移区厚度计算第32-33页
     ·阈值电压的分析第33页
     ·SiC-MOSFET 导通电阻的分析第33-34页
     ·SiC-MOSFET 结构和 Si-IGBT 结构参数第34-35页
   ·SiC-MOSFET 和 Si-IGBT 器件参数验证第35-37页
     ·SiC-MOSFET 和 Si-IGBT 击穿电压的验证第35-36页
     ·SiC-MOSFET 和 Si-IGBT 阈值电压的验证第36-37页
   ·SiC-MOSFET 和 Si-IGBT 器件可代替性讨论第37-40页
     ·导通特性的讨论第37-38页
     ·关断特性的讨论第38-39页
     ·热学特性的讨论第39-40页
   ·本章小节第40-41页
第四章 SiC-IGBT 功率器件设计与分析第41-65页
   ·IGBT 简介和研究背景第41-45页
     ·IGBT 简介第41-44页
     ·SiC-IGBT 研究背景第44-45页
   ·本章研究的主要工作第45页
   ·SiC-IGBT 工艺过程以及结构设计第45-54页
     ·SiC-IGBT 漂移区厚度计算第45-46页
     ·SiC-LIGBT 工艺实现过程第46-48页
     ·SiC-DIGBT 工艺实现过程第48-51页
     ·SiC-UIGBT 工艺实现过程第51-54页
   ·SiC-IGBT 器件 TCAD 计算模拟第54-63页
     ·阈值电压的模拟第54-56页
     ·导通特性的分析第56-57页
     ·关断特性的模拟第57-62页
     ·SiC-IGBT 击穿电压的模拟第62页
     ·热学特性的讨论第62-63页
   ·本章小结第63-65页
第五章 新型 SiC-SBD 结构的模拟与分析第65-77页
   ·SiC-SBD(肖特基二极管)简介第65-67页
     ·肖特基二极管的工作原理第65-66页
     ·肖特基二极管的器件结构第66-67页
   ·本章主要研究工作第67页
   ·SiC-SBD 理论分析第67-70页
     ·金属与半导体能带理论第67-69页
     ·SBD 正向导通时电子运输方式第69-70页
   ·新型结构 SBD 电学特性的模拟第70-75页
     ·器件结构参数第70-71页
     ·Si-SBD 器件与常规 SiC-SBD 器件 VI 特性模拟第71-72页
     ·单一斜面结构 4H-SiC 材料肖特基二极管的 V-I 特性曲线第72-73页
     ·带有场环斜面结构 SiC-SBD 的结构参数第73-74页
     ·带有场环斜面结构 SiC-SBD 的电学特性分析第74-75页
   ·本章小结第75-77页
第六章 总结与展望第77-79页
参考文献第79-82页
致谢第82-83页
研究成果及发表的学术论文第83-84页
导师简介第84页
作者简介第84-85页
硕士研究生学位谂文答辩委员会决议书第85-86页

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