摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-24页 |
·引言 | 第10-11页 |
·ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
·ZnO的晶体结构 | 第11-12页 |
·ZnO的光学电学性质 | 第12-13页 |
·ZnMgO及ZnO/ZnMgO量子阱的基本性质 | 第13-15页 |
·ZnMgO的基本性质 | 第13页 |
·ZnO/ZnMgO量子阱的性质及研究进展 | 第13-15页 |
·金属表面等离激元增强发光 | 第15-22页 |
·金属表面等离激元的基本性质 | 第15-16页 |
·金属表面等离激元增强发光的原理 | 第16-17页 |
·金属表面等离激元增强半导体材料发光 | 第17-22页 |
·本文主要研究内容和思路 | 第22-24页 |
第二章 实验内容和性能表征 | 第24-36页 |
·引言 | 第24页 |
·PLD法制备ZnMgO薄膜和ZnO/ZnMgO单量子阱 | 第24-27页 |
·实验原理 | 第24-25页 |
·生长设备 | 第25页 |
·实验过程 | 第25-27页 |
·MOCVD法制备ZnMgO薄膜 | 第27-29页 |
·实验原理 | 第27页 |
·生长设备 | 第27-28页 |
·实验过程 | 第28-29页 |
·金属薄膜以及金属颗粒的制备 | 第29-33页 |
·EBV法生长金属薄膜 | 第30-31页 |
·物理方法制备金属颗粒 | 第31-33页 |
·材料表征 | 第33-36页 |
·光致发光(PL) | 第33页 |
·紫外-可见分光光度法(UV-Vis-NIR) | 第33页 |
·扫描电子电镜(SEM) | 第33-34页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第34-36页 |
第三章 ZnO/ZnMgO单量子阱和ZnO纳米片发光性质研究 | 第36-50页 |
·引言 | 第36页 |
·PLD法制备ZnMgO、ZnO/ZnMgO单量子阱及发光性质研究 | 第36-41页 |
·ZnMgO薄膜的制备和光致发光性质 | 第36-37页 |
·ZnO/ZnMgO单量子阱的制备和光致发光性质 | 第37-41页 |
·MOCVD法制备ZnO纳米片、ZnMgO薄膜以及发光性质研究 | 第41-48页 |
·褶皱ZnO纳米片发光性质的研究 | 第41-47页 |
·ZnMgO薄膜的制备和光致发光性质的研究 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第四章 金属薄膜和纳米颗粒制备及光学性质研究 | 第50-58页 |
·引言 | 第50页 |
·Al金属薄膜的制备及光学吸收性质研究 | 第50-52页 |
·反浸润法制备金属纳米颗粒 | 第52-56页 |
·Al金属纳米颗粒的制备及光学吸收性质研究 | 第52-54页 |
·Pt金属纳米颗粒的制备及光学吸收性质研究 | 第54-56页 |
·标准光刻工艺制备Al金属阵列 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
第五章 表面等离激元增强ZnMgO以及ZnO/ZnMgO单量子阱紫外发光 | 第58-72页 |
·引言 | 第58-59页 |
·Al表面等离激元增强ZnMgO的光致发光 | 第59-65页 |
·金属厚度对发光增强的影响 | 第59-64页 |
·退火条件对发光增强的影响 | 第64-65页 |
·金属表面等离激元增强ZnO/ZnMgO单量子阱紫外发光 | 第65-70页 |
·Al表面等离激元增强ZnO/ZnMgO单量子阱紫外发光 | 第65-66页 |
·Al/Ag混合金属增强ZnO/ZnMgO单量子阱紫外发光 | 第66-70页 |
·本章小结 | 第70-72页 |
第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
·总结 | 第72-73页 |
·展望 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-84页 |
致谢 | 第84-86页 |
个人简历 | 第86-88页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第88页 |