| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·本研究的目的与意义 | 第12页 |
| ·本论文的结构安排和内容提示 | 第12-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-25页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·硅中的氧和氧沉淀 | 第15-19页 |
| ·硅中的氧 | 第15-17页 |
| ·氧沉淀的基本性质 | 第17-18页 |
| ·氧沉淀的形核与生长 | 第18-19页 |
| ·直拉硅中的内吸杂技术 | 第19-21页 |
| ·基于普通炉退火的内吸杂技术 | 第20页 |
| ·基于快速热处理的内吸杂技术 | 第20-21页 |
| ·硅中的空洞型缺陷 | 第21-24页 |
| ·空洞型缺陷概述 | 第21-22页 |
| ·快速热处理对空洞型缺陷的消除机理 | 第22-23页 |
| ·不同气氛下高温快速热处理对消除空洞型缺陷的影响 | 第23页 |
| ·氧沉淀的形成对空洞型缺陷的影响 | 第23-24页 |
| ·共掺锗对空洞型缺陷消除的影响 | 第24页 |
| ·重掺杂效应 | 第24-25页 |
| ·重掺杂效应对氧沉淀的影响 | 第24页 |
| ·重掺杂效应对点缺陷的影响 | 第24-25页 |
| 第三章 实验设备和样品制备 | 第25-29页 |
| ·实验设备 | 第25-28页 |
| ·热处理设备 | 第25-26页 |
| ·测试方法及设备 | 第26-28页 |
| ·样品制备 | 第28-29页 |
| 第四章 重掺磷直拉硅单晶中的氧沉淀行为及共掺锗的影响 | 第29-41页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验 | 第29-30页 |
| ·实验结果与讨论 | 第30-39页 |
| ·重掺磷硅单晶的氧沉淀行为 | 第30-33页 |
| ·共掺锗的重掺磷硅单晶的氧沉淀行为 | 第33-35页 |
| ·共掺锗对重掺磷硅单晶中氧沉淀行为的影响 | 第35-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第五章 重掺磷直拉硅单晶中的空洞型缺陷的消除及共掺锗的影响 | 第41-59页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·实验 | 第41-43页 |
| ·实验结果与讨论 | 第43-57页 |
| ·普通热处理对空洞型缺陷的影响 | 第43-45页 |
| ·氢气气氛下高温快速热处理对空洞型缺陷的影响 | 第45-48页 |
| ·氧气气氛下高温快速热处理对空洞型缺陷的影响 | 第48-50页 |
| ·氮气气氛下高温快速热处理对空洞型缺陷的影响 | 第50-52页 |
| ·氧沉淀的形成对空洞型缺陷的影响 | 第52-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第六章 重掺磷直拉硅单晶中氧的扩散行为及共掺锗的影响 | 第59-69页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·实验样品参数 | 第59页 |
| ·实验结果与讨论 | 第59-67页 |
| ·拟合SIMS测得的氧深度分布曲线得到的不同温度下氧的扩散系数D | 第59-64页 |
| ·拟合氧的扩散系数公式 | 第64-66页 |
| ·计算各温度下氧的扩散激活能Ed | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 第七章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 个人简历 | 第79-81页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第81页 |
