| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-29页 |
| ·集成电路概述 | 第14-15页 |
| ·化学机械平坦化（CMP）概述 | 第15-27页 |
| ·CMP 的原理 | 第16-19页 |
| ·CMP 的优点及必要性 | 第19-22页 |
| ·研磨液的种类 | 第22-24页 |
| ·CMP 的研磨机理及应用 | 第24-27页 |
| ·本文的研究目的与内容 | 第27-29页 |
| 第二章 传统STI CMP 与DSTI CMP 工艺技术对比分析 | 第29-40页 |
| ·STI CMP 与DSTI CMP 工艺技术简介 | 第29-31页 |
| ·浅沟道隔离（STI）的工艺流程 | 第30-31页 |
| ·传统STI CMP 工艺 | 第31-35页 |
| ·传统STI CMP 工艺流程 | 第31-34页 |
| ·传统STI CMP 工艺的优缺点分析 | 第34-35页 |
| ·直接浅沟道隔离平坦化（DSTI CMP）工艺 | 第35-38页 |
| ·DSTI CMP 工艺流程 | 第35-37页 |
| ·DSTI CMP 工艺的优缺点分析 | 第37-38页 |
| ·传统STI CMP 工艺与DSTI CMP 工艺的对比分析 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 不同二氧化铈研磨液研磨效果的对比分析 | 第40-50页 |
| ·CeO_2 研磨液的选择 | 第40-41页 |
| ·实验条件的设计 | 第41-46页 |
| ·实验设备 | 第41-43页 |
| ·实验材料 | 第43-44页 |
| ·实验方法 | 第44-46页 |
| ·实验结果及讨论 | 第46-49页 |
| ·晶片表面薄膜厚度的对比分析 | 第46页 |
| ·晶片表面薄膜不平整度（Non Uniformity，NU%）的对比分析 | 第46-47页 |
| ·晶片表面缺陷（Defect）的对比分析 | 第47页 |
| ·蝶形化程度（Dishing）的对比分析 | 第47页 |
| ·最终台阶高度（Final Step Height）的对比分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 双步DSTI CMP 工艺的工程应用 | 第50-58页 |
| ·双步DSTI CMP 工艺的流程及原理 | 第50-52页 |
| ·双步DSTI CMP 工艺在产品生产中的应用研究 | 第52-56页 |
| ·研磨液供应系统的设计 | 第52-54页 |
| ·双步工艺时间的确定 | 第54-56页 |
| ·双步DSTI CMP 工艺的工程应用效果验证 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 双步DSTI CMP 工艺的优化研究 | 第58-71页 |
| ·双步DSTI CMP 工艺研磨终点的优化设计 | 第58-63页 |
| ·背景分析 | 第58-59页 |
| ·实验方案设计 | 第59-61页 |
| ·实验结果与讨论 | 第61-63页 |
| ·双步DSTI CMP 工艺产能的优化设计 | 第63-69页 |
| ·背景分析 | 第63-65页 |
| ·实验方案设计 | 第65-66页 |
| ·实验结果与讨论 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结与未来展望 | 第71-74页 |
| ·总结 | 第71-72页 |
| ·CMP 工艺技术的展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
