| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1-1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1-2 InP 的基本特性 | 第11-13页 |
| 1-3 富磷 InP 单晶体材料特性研究现状 | 第13-15页 |
| 1-4 本学位论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 InP 晶体合成与单晶生长 | 第17-30页 |
| 2-1 InP 晶体合成 | 第17-22页 |
| 2-1-1 溶质扩散技术（SSD） | 第17-18页 |
| 2-1-2 水平布里奇曼技术（HB）与水平梯度凝固技术（HGF）技术 | 第18-19页 |
| 2-1-3 直接合成技术 | 第19-22页 |
| 2-2 InP 单晶生长 | 第22-30页 |
| 2-2-1 液封直拉技术（LEC | 第23-24页 |
| 2-2-2 改进的LEC 技术（TB-LEC） | 第24页 |
| 2-2-3 气压控制 LEC 技术（VCz） | 第24-25页 |
| 2-2-4 垂直梯度凝固技术（VGF）与垂直布里奇曼技术（VB） | 第25-27页 |
| 2-2-5 水平布里奇曼技术（HB）与水平梯度凝固技术（HGF） | 第27-30页 |
| 第三章 测试设备与测试方法 | 第30-38页 |
| 3-1 富磷 InP 单晶的制备 | 第30-31页 |
| 3-2 测试方法与原理 | 第31-38页 |
| 3-2-1 光致发光技术(Photoluminescence Mapping、PL) | 第31-35页 |
| 3-2-2 X 射线衍射技术( X-ray Diffraction 、XRD） | 第35-36页 |
| 3-2-3 能量色散谱仪（Energy Dispersive Spectrometer，EDS） | 第36-38页 |
| 第四章 富磷 InP 单晶体材料特性分析 | 第38-45页 |
| 4-1 晶片形貌 | 第38-39页 |
| 4-2 PL Mapping 分析 | 第39-40页 |
| 4-3 XRD 分析 | 第40-42页 |
| 4-4 EDS 分析 | 第42-45页 |
| 第五章 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第51页 |
