| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·硅基薄膜太阳能电池的发展现状 | 第9-10页 |
| ·微晶硅薄膜材料的发展前景及制备方法 | 第10-13页 |
| ·间接生长微晶硅薄膜 | 第11-12页 |
| ·直接生长微晶硅薄膜 | 第12-13页 |
| ·PECVD 法沉积微晶硅薄膜的生长机理 | 第13-19页 |
| ·PECVD 的工作原理 | 第13-18页 |
| ·微晶硅薄膜的生长机制 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 实验参数及材料表征方法 | 第21-29页 |
| ·衬底及其处理方法 | 第21-22页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·衬底的选用及处理方法 | 第21-22页 |
| ·实验设计方案 | 第22-23页 |
| ·PECVD 法制备非晶硅薄膜 | 第22页 |
| ·快速热处理法制备微晶硅薄膜 | 第22-23页 |
| ·材料的表征方法 | 第23-28页 |
| ·材料微结构的表征方法 | 第23-27页 |
| ·材料形貌的表征方法 | 第27页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第27页 |
| ·材料电学特性表征方法—光、暗电导率 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 沉积参数对微晶硅薄膜微结构及性能的影响 | 第29-50页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验过程 | 第29页 |
| ·实验结果与分析 | 第29-48页 |
| ·氢稀释浓度R 对薄膜微结构、沉积速率及性能的影响 | 第30-35页 |
| ·沉积温度Ts 对薄膜微结构、沉积速率及性能的影响 | 第35-39页 |
| ·辉光功率Pf对薄膜微结构及沉积速率的影响 | 第39-44页 |
| ·沉积压强P 对薄膜微结构及沉积速率的影响 | 第44-47页 |
| ·气体总流量Q 对μc-Si:H 薄膜微结构及沉积速率的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 退火参数对微晶硅薄膜微结构的影响 | 第50-59页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·退火温度对μc-Si:H 薄膜微结构的影响 | 第50-52页 |
| ·退火时间对μc-Si:H 薄膜微结构的影响 | 第52-55页 |
| ·退火速率对μc-Si:H 薄膜微结构的影响 | 第55-58页 |
| ·升温速率的影响 | 第55-56页 |
| ·降温速率的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读学位期间所获得的相关科研成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
