| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| §1.1 研究背景和意义 | 第9-10页 |
| §1.2 本文的研究目的 | 第10页 |
| §1.3 本文的结构安排和内容提要 | 第10-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-33页 |
| §2.1 引言 | 第13页 |
| §2.2 直拉单晶硅中的硼 | 第13-18页 |
| §2.2.1 直拉单晶硅中硼的基本性质 | 第13-15页 |
| §2.2.2 直拉单晶硅中硼的测量 | 第15页 |
| §2.2.3 直拉单晶硅中硼和氧的相互作用 | 第15-18页 |
| §2.2.4 直拉单晶硅中硼和其他缺陷的相互作用 | 第18页 |
| §2.3 直拉单晶硅中的位错 | 第18-27页 |
| §2.3.1 直拉单晶硅中位错的基本性质 | 第18-20页 |
| §2.3.2 直拉单晶硅中位错的形成 | 第20-27页 |
| §2.4 直拉单晶硅中位错与点缺陷的相互作用 | 第27-31页 |
| §2.4.1 直拉单晶硅中点缺陷对位错滑移的影响 | 第27-30页 |
| §2.4.2 直拉单晶硅中点缺陷对位错攀移的影响 | 第30-31页 |
| §2.5 本文研究方向的提出 | 第31-33页 |
| 第三章 实验样品与研究方法 | 第33-43页 |
| §3.1 实验样品与样品制备 | 第33-35页 |
| ·实验样品 | 第33-34页 |
| ·样品制备 | 第34-35页 |
| §3.2 研究方法 | 第35-43页 |
| ·样品处理工艺及设备 | 第35-37页 |
| ·样品测试方法和设备 | 第37-43页 |
| 第四章 重掺硼单晶硅中特殊的原生位错 | 第43-53页 |
| §4.1 引言 | 第43-44页 |
| §4.2 实验 | 第44页 |
| §4.2.1 位错在单晶硅内部的分布状况研究 | 第44页 |
| §4.2.2 热处理对硅片内位错的影响 | 第44页 |
| §4.3 实验结果与讨论 | 第44-51页 |
| §4.3.1 位错在硅片表面的形态及分布 | 第44-46页 |
| §4.3.2 位错在硅晶体内部的分布情况 | 第46-49页 |
| §4.3.3 多种热处理方式对位错的影响 | 第49-51页 |
| §4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 重掺硼单晶硅中位错的滑移 | 第53-61页 |
| §5.1 引言 | 第53页 |
| §5.2 实验 | 第53-54页 |
| §5.2.1 实验样品 | 第53-54页 |
| §5.2.2 步骤实验 | 第54页 |
| §5.3 实验结果与讨论 | 第54-60页 |
| §5.3.1 位错在样品中的滑移方式 | 第54-55页 |
| §5.3.2 硼对位错的滑移的影响 | 第55-58页 |
| §5.3.3 温度对位错滑移的影响 | 第58-60页 |
| §5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 重掺硼单晶硅中的氧沉淀行为 | 第61-69页 |
| §6.1 引言 | 第61-62页 |
| §6.2 实验 | 第62-63页 |
| §6.2.1 实验样品 | 第62页 |
| §6.2.2 实验步骤 | 第62-63页 |
| §6.3 实验结果与讨论 | 第63-68页 |
| §6.3.1 低-高两步退火下硼对氧沉淀的影响 | 第63-65页 |
| §6.3.2 高温单步退火下对氧沉淀的影响 | 第65-66页 |
| §6.3.3 退火方式对重掺硼单晶硅片中氧沉淀的影响 | 第66-68页 |
| §6.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第七章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 个人简介 | 第78-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第79页 |