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一般性问题
稀土-IV-VI族稀磁半导体材料的合成与La-Cu-Sn合金相图研究
掺锗直拉硅中的杂质缺陷及其光伏应用研究
快速热处理对直拉单晶硅中氧沉淀和内吸杂的影响
基于表面等离子体及半导体准一维纳米结构的光子器件研究
空位对直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用
新型AgNiSnO2材料的制备与性能研究
PLD（脉冲激光沉积法）制备ZnO基稀磁半导体薄膜及其性能研究
普通和掺氮的重掺砷直拉硅单晶的氧沉淀行为
Mg2Si基半导体的制备及其热电性能研究
直拉硅单晶中氧沉淀的熟化
MOCVD法可控生长磷掺杂ZnO量子点及其性能研究
可见光响应半导体光催化剂的制备及其性能研究
光学薄膜应力的研究
多孔硅薄膜的制备工艺与微观结构分析
金属—铁电—绝缘层—半导体（MFIS）结构器件电学性能模拟
典型Ⅲ族氮化物半导体材料第一性原理研究
过渡金属氮化物表面铜团聚机理的密度泛函理论研究
硅和硅锗合金半导体中碳相关缺陷和自间隙缺陷的从头计算研究
ZnO光学性质与掺杂的第一性原理研究
立方氮化硼单晶半导体特性及电致发光现象的研究
ZnO薄膜生长及其ECV测试研究
脉冲激光沉积氧化锌薄膜的组织结构与光学性能
分子束外延生长AIN薄膜的初步研究
MgZnO薄膜的MOCVD法生长及其特性的研究
磷掺杂p型氧化锌薄膜的制备、性能和机制
PLD方法制备n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结LED
带边调制方法研究氧化锌的绿光发射机制
相位光栅对准技术研究
InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器材料与设计研究
WO3-x光解水催化剂结构与性能关系研究
VLSI用栅介质Ta2O5薄膜制备与特性研究
有机功能薄膜的制备及基于SPM的表征与加工
0.18微米侧壁（Spacer）干法刻蚀工艺的开发与优化
镍合金（NiPt、NiAl、NiY）硅化物固相反应及其与Si肖特基接触特性研究
p型透明导电薄膜及其二极管的研究
晶圆制造过程中光敏型聚酰亚胺的应用及制程改良
0.11微米DRAM BPSG空洞问题的解决
暗场散射技术在晶圆表面缺陷检测中的新应用研究
半导体光刻工艺中图形缺陷问题的研究及解决
高性能磁控溅射靶枪的设计
基于DMD的数字无掩模光刻成像系统设计
半导体表面平坦化及新型高性能湿式清洗工艺的研究
6H-SiC衬底上生长p-SiCGe薄膜的研究
SiC单晶抛光片的制备与表征
6H-SiC上3C-SiC缓冲层及SiCGe薄膜的生长
钒掺杂半绝缘SiC的制备及特性研究
SiC高温电学特性研究
基于多孔硅衬底的碳化硅APCVD生长研究
硅衬底辐照损伤噪声测试样品研究
基于第一性原理的ZnO材料的计算机模拟计算
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