SiC高温电学特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·碳化硅研究背景、发展进程、研究现状及应用前景 | 第7-12页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·发展进程 | 第8-9页 |
| ·研究现状 | 第9-10页 |
| ·应用前景 | 第10-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 碳化硅单晶材料的结构与性质 | 第13-21页 |
| ·碳化硅的晶体结构 | 第13-15页 |
| ·碳化硅的电学性质 | 第15-19页 |
| ·碳化硅的能带结构 | 第16页 |
| ·碳化硅的杂质 | 第16-18页 |
| ·碳化硅中载流子的输运特性 | 第18-19页 |
| ·载流子有效质量 | 第19页 |
| ·碳化硅材料的光学性质 | 第19-21页 |
| 第三章 半绝缘碳化硅单晶材料的制备方法 | 第21-31页 |
| ·碳化硅单晶的制备 | 第21-25页 |
| ·Acheson 法 | 第21-22页 |
| ·Lely 升华法 | 第22页 |
| ·籽晶升华法 | 第22-25页 |
| ·晶体生长中的主要缺陷 | 第25-27页 |
| ·微管道 | 第25-26页 |
| ·多晶形问题 | 第26-27页 |
| ·半绝缘SiC 单晶体材料的制备方法 | 第27-31页 |
| 第四章 N型6H-SIC与金属的欧姆接触 | 第31-37页 |
| ·欧姆接触形成机理 | 第31-32页 |
| ·欧姆接触的测试及评价标准 | 第32-34页 |
| ·欧姆接触电极的制备 | 第34-37页 |
| ·样品预处理 | 第34页 |
| ·蒸发镀Ni 电极 | 第34-35页 |
| ·高温退火 | 第35-37页 |
| 第五章 碳化硅单晶电学特性的研究 | 第37-51页 |
| ·霍尔测试原理与方法 | 第37-39页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·霍尔测试电路 | 第37-38页 |
| ·测试原理 | 第38-39页 |
| ·实验方法 | 第39-40页 |
| ·碳化硅单晶载流子浓度的研究 | 第40-45页 |
| ·碳化硅单晶迁移率的研究 | 第45-48页 |
| ·碳化硅单晶电阻率的研究 | 第48-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 研究成果 | 第59-60页 |
