| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-17页 |
| §2.1 半导体激光器简介 | 第9-12页 |
| §2.2 锑化物半导体激光器研究进展 | 第12-17页 |
| 第三章 分子束外延(MBE)技术简介 | 第17-25页 |
| §3.1 引言 | 第17-18页 |
| §3.2 分子束外延技术的优点 | 第18-19页 |
| §3.3 分子束外延生长的影响因素 | 第19-20页 |
| §3.4 分子束外延生长的基本过程 | 第20-25页 |
| 第四章 2μm InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器设计与优化 | 第25-52页 |
| §4.1 引言 | 第25页 |
| §4.2 Ⅲ-Ⅴ族锑化物材料基本参数计算 | 第25-36页 |
| §4.3 一维有限深方形阱的薛定谔方程求解 | 第36-39页 |
| §4.4 InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器的带间跃迁近似计算 | 第39-50页 |
| §4.5 InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器结构设计 | 第50-52页 |
| 第五章 InP基激光器材料的MBE生长与测试表征 | 第52-72页 |
| §5.1 V80H分子束外延设备概述 | 第52-56页 |
| §5.2 材料的测试表征方法 | 第56页 |
| §5.3 InP基锑化物材料的扫描电镜(SEM)研究 | 第56-58页 |
| §5.4 InP基锑化物材料的X射线光电子能谱(XPS)研究 | 第58-64页 |
| §5.5 InP基锑化物材料的X射线衍射(XRD)研究 | 第64-67页 |
| §5.6 InGaAsSb材料的生长和测试表征 | 第67-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
