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立方氮化硼单晶半导体特性及电致发光现象的研究

内容提要第1-8页
第一章 绪论第8-18页
   ·立方氮化硼的研究背景与发展趋势第8-17页
     ·研究背景第8-15页
     ·本论文的主要研究工作第15-16页
     ·本论文研究的意义第16-17页
   ·本章小结第17-18页
第二章 立方氮化硼的结构和基本性质第18-33页
   ·cBN的结构第18-23页
     ·硼原子的结构和性质第18-20页
     ·氮的结构及其性质第20-21页
     ·立方氮化硼的结构第21-23页
   ·立方氮化硼单晶的基本性质第23-26页
   ·cBN单晶的合成方法简介第26-30页
   ·cBN的应用第30-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 立方氮化硼的能带结构计算和紫外吸收光谱第33-70页
   ·计算机模拟及常用的量子力学计算软件第33-35页
     ·计算机模拟的可行性第33-34页
     ·计算机模拟的意义第34-35页
   ·理论基础及密度泛函理论简介第35-55页
     ·第一性原理对多体问题的处理方法第35-36页
     ·全同多粒子体系第36-38页
     ·Hartree-Fock近似第38-41页
     ·Hohenberg-Kohn定理第41-45页
     ·自洽 Kohn-Sham方程第45-47页
     ·交换关联能泛函的求解第47-49页
     ·能带论第49-55页
   ·计算方法第55-62页
     ·设置计算参数第56-57页
     ·构建晶体模型第57页
     ·几何结构优化第57-59页
     ·总能量和电子结构计算第59-62页
   ·c-BN单晶紫外吸收光谱实验第62-69页
     ·c-BN单晶紫外吸收光谱实验方法第63-65页
     ·cBN紫外吸收光谱的实验结果第65-66页
     ·cBN紫外吸收光谱的实验结果的讨论第66-69页
   ·本章小结第69-70页
第四章 cBN的导电性、温度特性、TCS谱和介电特性第70-92页
   ·立方氮化硼的I-V特性研究第70-80页
     ·空间电荷限制电流理论第71-74页
     ·试验结果及分析第74-80页
   ·cBN电导率的温度特性第80-85页
     ·I一V特性的温度依赖关系第80-84页
     ·电导率的温度依赖关系第84-85页
   ·cBN的TCS谱研究第85-89页
     ·热激发电流(TSC)的基本理论第86-88页
     ·cBN的TCS谱的测试第88页
     ·cBN样品的TCS谱线与分析第88-89页
   ·cBN的介电特性第89-91页
   ·本章小结第91-92页
第五章 立方氮化硼电致发光现象及电击穿的影响第92-104页
   ·立方氮化硼的发光现象第93-96页
     ·实验装置及测试样品第93-95页
     ·实验结果及讨论第95-96页
   ·立方氮化硼电击穿后的j-E关系第96-98页
   ·立方氮化硼的脉冲辐射发光第98-100页
   ·立方氮化硼辐射发光的电流振荡现象第100-102页
   ·立方氮化硼的紫外发光光谱第102页
   ·本章小结第102-104页
第六章 结论第104-106页
参考文献第106-116页
 第一章参考文献第106-109页
 第二章参考文献第109-112页
 第三章参考文献第112-113页
 第四章参考文献第113-114页
 第五章参考文献第114-116页
攻博期间发表的学术论文及其他成果第116-118页
摘要第118-120页
Abstract第120-122页
致谢第122页

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