| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 前言 | 第5-9页 |
| §1.1 课题背景—半导体制造业的发展 | 第5-7页 |
| §1.2 研究目的—开发并优化新工艺的意义 | 第7-8页 |
| §1.3 论文结构 | 第8-9页 |
| 第二章 干法刻蚀回顾 | 第9-18页 |
| §2.1 干法刻蚀原理 | 第9-17页 |
| §2.2 侧壁(Spacer)在工艺流程中的作用 | 第17-18页 |
| 第三章 半导体中 实验设计(DOE)方法 | 第18-21页 |
| §3.1 实验设计(DOE)的原理和方法 | 第18页 |
| §3.2 实验检测工具和分析工具 | 第18-21页 |
| 第四章 0.18 微米侧壁(Spacer)刻蚀工艺的开发和优化 | 第21-65页 |
| §4.1 0.18微米侧壁(Spacer)工艺概述 | 第21页 |
| §4.2 0.18微米侧壁(Spacer)现有工艺存在的问题 | 第21-24页 |
| §4.3 在DPS Plus设备上的工艺优化 | 第24-65页 |
| §4.3.1 使用新工艺气体SF6进行工艺开发 | 第24-40页 |
| §4.3.2 改变硅片背面氦气压力进行工艺优化 | 第40-44页 |
| §4.3.3 改变工艺气体CF4的组成进行工艺优化 | 第44-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
