| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| ·课题意义 | 第9-10页 |
| ·研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-26页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-14页 |
| ·稀磁半导体材料及其研究概况 | 第14-21页 |
| ·稀磁半导体材料的基本概念 | 第14-15页 |
| ·稀磁半导体的物理性质 | 第15-18页 |
| ·稀磁半导体的物理机制 | 第18-20页 |
| ·稀磁半导体材料的分类 | 第20-21页 |
| ·ZnO基稀磁半导体材料的制备技术 | 第21-23页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第22页 |
| ·溶胶凝胶法(sol-gel) | 第22页 |
| ·溅射技术 | 第22-23页 |
| ·离子注入技术 | 第23页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第23页 |
| ·稀磁半导体合成中存在的重要问题 | 第23-26页 |
| 第三章 实验原理和实验过程 | 第26-39页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)概述 | 第26-33页 |
| ·PLD的基本原理 | 第27-29页 |
| ·PLD特点 | 第29-30页 |
| ·PLD薄膜生长实验系统简介 | 第30-33页 |
| ·实验方法 | 第33-34页 |
| ·表征手段及原理 | 第34-39页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第34-35页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM) | 第35-36页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第36页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第36-37页 |
| ·Hall测试 | 第37页 |
| ·紫外-可见光谱(UV-VIS)测试 | 第37页 |
| ·SQUID测试 | 第37-39页 |
| 第四章 Co掺杂ZnO薄膜的制备与表征 | 第39-58页 |
| ·薄膜制备 | 第39-40页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第40-48页 |
| ·薄膜形貌、结构分析 | 第40-44页 |
| ·电学性能分析 | 第44-45页 |
| ·光学性能分析 | 第45-47页 |
| ·磁学性能分析 | 第47-48页 |
| ·压强对薄膜性能的影响 | 第48-53页 |
| ·薄膜形貌、结构分析 | 第48-49页 |
| ·电学性能分析 | 第49-50页 |
| ·光学性能分析 | 第50-53页 |
| ·Co、Mn共掺杂对薄膜性能的影响 | 第53-56页 |
| ·薄膜形貌、结构分析 | 第53-55页 |
| ·磁学性能分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 Co、Ga共掺杂及N_2O气氛下Co掺杂ZnO薄膜的制备与表征 | 第58-65页 |
| ·薄膜制备 | 第58-59页 |
| ·结果与分析 | 第59-64页 |
| ·薄膜形貌、结构分析 | 第59-61页 |
| ·电学性能分析 | 第61-63页 |
| ·磁学性能分析 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 硕士期间发表的论文及专利成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |