| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 概述 | 第7-12页 |
| §1.1 课题背景 | 第7-8页 |
| §1.2 动态随机存储器(DRAM)的简单介绍 | 第8-10页 |
| §1.3 选题的目的和意义 | 第10-11页 |
| §1.4 论文的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 BPSG作为层间隔绝材料的工艺流程和对半导体性能的影响 | 第12-21页 |
| §2.1 BPSG的制造工艺流程 | 第12-14页 |
| §2.2 BPSG在先进集成电路制造工艺中的挑战 | 第14-16页 |
| §2.3 BPSG性能在DRAM电路系统中的检测 | 第16-17页 |
| §2.4 课题所需半导体制造工艺简介 | 第17-21页 |
| 第三章 半导体中DOE方法 | 第21-30页 |
| §3.1 从DOE中获益 | 第21-22页 |
| §3.2 DOE计划 | 第22-30页 |
| 第四章 BPSG空洞的工艺相关问题和解决方案 | 第30-47页 |
| §4.1 问题描述 | 第30-33页 |
| §4.2 影响BPSG空洞问题的相关工序介绍 | 第33-34页 |
| §4.3 BPSG空洞问题的原因分析 | 第34-36页 |
| §4.4 BPSG空洞问题的解决方案 | 第36-42页 |
| §4.5 BPSG空洞决方案的量产检验 | 第42-44页 |
| §4.6 BPSG空洞的另一解法 | 第44-47页 |
| 第五章 总结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |