| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章:绪论 | 第9-18页 |
| §1.1 引言 | 第9-10页 |
| §1.2 Cu互联工艺 | 第10-12页 |
| §1.3 ALD工艺 | 第12-15页 |
| §1.4 扩散阻挡层材料 | 第15-17页 |
| §1.5 本文的研究工作 | 第17-18页 |
| 第二章 计算参数选择与模型优化 | 第18-28页 |
| §2.1 密度泛函理论 | 第18-23页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第19-23页 |
| ·分子轨道法的三个基本近似 | 第19-20页 |
| ·密度泛函理论的两个基本定理 | 第20-22页 |
| ·局部密度近似和广义梯度近似 | 第22-23页 |
| §2.2 计算方法简介 | 第23-25页 |
| ·SIESTA的主要计算参数 | 第24-25页 |
| ·SIESTA的输入文件 | 第25页 |
| §2.3 计算参数选择与设定 | 第25-26页 |
| ·k点的选择 | 第25页 |
| ·基组的选择 | 第25-26页 |
| ·截断能的选择 | 第26页 |
| §2.4 模型优化及计算分析 | 第26-28页 |
| ·物理模型和WN(001)结构模型 | 第26-27页 |
| ·模型优化计算 | 第27页 |
| ·电荷转移计算 | 第27-28页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第28-48页 |
| §3.1 研究对象 | 第28-29页 |
| §3.2 研究方法 | 第29页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第29-48页 |
| ·确定WN(001)表面最稳定的吸附位置 | 第29-32页 |
| ·少量Cu团聚的反应路径计算 | 第32-33页 |
| ·电荷密度(Density of Charge)分析 | 第33-35页 |
| ·模拟Cu团簇在WN(001)表面的生长 | 第35-37页 |
| ·分子动力学模拟Cu单分子薄膜的团聚 | 第37-48页 |
| 第四章 结论与讨论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |