SiC单晶抛光片的制备与表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·SiC单晶材料概述 | 第9-10页 |
| ·SiC单晶抛光片加工和表征的研究进展 | 第10-15页 |
| ·研究内容及研究方法 | 第15-16页 |
| 2 SiC单晶抛光片加工设备与工艺机理 | 第16-26页 |
| ·SiC单晶加工设备的结构 | 第16-19页 |
| ·金刚石线切割机的结构和使用 | 第16-17页 |
| ·研抛机的结构和使用 | 第17-19页 |
| ·SiC单晶抛光片的主要加工原理 | 第19-26页 |
| ·金刚石颗粒磨削原理 | 第19-20页 |
| ·脆性材料断裂原理 | 第20-21页 |
| ·研磨和机械抛光加工机理 | 第21-24页 |
| ·CMP加工机理 | 第24-26页 |
| 3 SiC单晶抛光片工艺实验 | 第26-38页 |
| ·单晶锭的线切割 | 第26-27页 |
| ·线切割的工艺流程 | 第26-27页 |
| ·线切割工艺参数的选取 | 第27页 |
| ·SiC单晶切割片的研磨 | 第27-29页 |
| ·研磨的工艺流程 | 第27-28页 |
| ·研磨工艺参数的选取 | 第28-29页 |
| ·研磨片的抛光 | 第29-31页 |
| ·抛光的工艺流程 | 第30页 |
| ·抛光工艺参数的选取 | 第30-31页 |
| ·SiC单晶片表面参数的测试方法 | 第31-34页 |
| ·几何尺寸的测试 | 第31-32页 |
| ·表面加工缺陷的测试 | 第32-34页 |
| ·SiC单晶片次表面参数的测试方法 | 第34-38页 |
| ·单晶片腐蚀表面形貌观察 | 第34-35页 |
| ·次表面损伤层的腐蚀工艺 | 第35-38页 |
| 4 SiC单晶抛光片工艺优化与结果讨论 | 第38-54页 |
| ·单晶锭的线切割工艺优化 | 第38-42页 |
| ·金刚石线线径的选择 | 第40-41页 |
| ·x轴径给速度的选择 | 第41-42页 |
| ·切割片的研磨工艺优化 | 第42-45页 |
| ·研磨效率的优化 | 第42-44页 |
| ·研磨精度的优化 | 第44-45页 |
| ·研磨片的机械抛光工艺优化 | 第45-51页 |
| ·机械抛光的抛光盘材料的选择 | 第45-46页 |
| ·机械抛光的主盘转速和载荷的影响 | 第46-47页 |
| ·单晶抛光片的表面划痕的产生 | 第47-49页 |
| ·单晶抛光片的片内非均匀性改善 | 第49-50页 |
| ·抛光液供给方式的影响 | 第50-51页 |
| ·抛光片的化学机械抛光工艺优化 | 第51-54页 |
| 5 结束语 | 第54-56页 |
| ·总结 | 第54-55页 |
| ·对今后工作的一些设想 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 在校学习期间发表的论文 | 第63页 |
