| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第8-30页 |
| ·前言 | 第8页 |
| ·n型透明导电薄膜研究现状 | 第8-10页 |
| ·p型透明导电薄膜研究现状 | 第10-16页 |
| ·p型材料的选择标准 | 第10-12页 |
| ·铜铁矿结构透明导电氧化物 | 第12-13页 |
| ·SrCu_2O_2材料 | 第13-14页 |
| ·氧硫族化合物 | 第14-15页 |
| ·普通掺杂氧化物 | 第15-16页 |
| ·透明电子器件 | 第16-21页 |
| ·透明薄膜二极管 | 第17-19页 |
| ·薄膜场效应晶体管 | 第19-21页 |
| ·紫外发光二极管 | 第21页 |
| ·透明传感器 | 第21页 |
| ·透明导电薄膜的应用 | 第21-25页 |
| ·平板显示器 | 第22-23页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第23页 |
| ·电致变色窗和镜 | 第23-24页 |
| ·透明热反射膜 | 第24页 |
| ·除雾除霜窗 | 第24页 |
| ·电磁屏蔽窗 | 第24-25页 |
| ·触摸屏 | 第25页 |
| ·透明导电薄膜的制备方法 | 第25-28页 |
| ·直流/射频磁控溅射法 | 第25-27页 |
| ·激光脉冲沉积法 | 第27页 |
| ·真空反应蒸发法 | 第27页 |
| ·离子束沉积法 | 第27页 |
| ·化学气相沉积法 | 第27-28页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第28页 |
| ·喷雾热解法 | 第28页 |
| ·本课题的研究内容及意义 | 第28-30页 |
| 2 薄膜制备及表征方法 | 第30-40页 |
| ·薄膜制备方法——渠道火花烧蚀法 | 第30-33页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·烧蚀原理 | 第30页 |
| ·渠道火花烧蚀方法原理及设备结构 | 第30-32页 |
| ·渠道火花烧蚀方法的技术特点 | 第32-33页 |
| ·表征方法及原理 | 第33-40页 |
| ·薄膜厚度 | 第33-34页 |
| ·薄膜电学测试 | 第34-37页 |
| ·薄膜光学测试 | 第37页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第37-40页 |
| 3 p型氧化物靶材及其透明导电薄膜的研究 | 第40-51页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·p型导电氧化物靶材的制备 | 第40-44页 |
| ·p型SrCu_2O_2靶材的制备 | 第40-42页 |
| ·p型CuAlO_2靶材的制备 | 第42-44页 |
| ·p-CuFeO_2靶材的制备 | 第44页 |
| ·p型透明导电氧化物薄膜的制备 | 第44-50页 |
| ·p型SrCu_2O_2薄膜 | 第45-47页 |
| ·p型CuAlO_2薄膜 | 第47-48页 |
| ·p-CuFeO_2薄膜的制备 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 4 p型掺锌硫化铜铝(CuAlS_2:Zn)靶材及薄膜的研究 | 第51-65页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·实验方法 | 第51-52页 |
| ·p型掺锌硫化铜铝(CuAlS_2:Zn)靶材的制备 | 第51-52页 |
| ·p型掺锌硫化铜铝(CuAlS_2:Zn)透明导电薄膜的制备 | 第52页 |
| ·p型掺锌硫化铜铝(CuAlS_2:Zn)靶材的性能分析 | 第52-54页 |
| ·掺锌硫化铜铝靶材的结晶性 | 第52页 |
| ·掺锌硫化铜铝靶材的电学性质 | 第52-54页 |
| ·p型掺锌硫化铜铝(CuAlS_2:Zn)透明导电薄膜的性能分析 | 第54-63页 |
| ·掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的结晶性 | 第54-55页 |
| ·掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的电学性质 | 第55-60页 |
| ·掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的光学性质 | 第60-62页 |
| ·掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的表面形貌 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 5 透明薄膜二极管(CuAlS_2:Zn-IWO)的研究 | 第65-70页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·透明薄膜二极管(CuAlS_2:Zn-IWO)的制备 | 第65-66页 |
| ·透明薄膜二极管(CuAlS_2:Zn-IWO)性能分析 | 第66-68页 |
| ·透明薄膜二极管(CuAlS_2:Zn-IWO)的电学性质 | 第66-68页 |
| ·透明薄膜二极管(CuAlS_2:Zn-IWO)的光学性质 | 第68页 |
| ·小结 | 第68-70页 |
| 6 全文结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
