| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 ZnO量子点的性质与研究进展 | 第11-37页 |
| ·ZnO材料的基本特点 | 第11页 |
| ·量子点的基本特征 | 第11-15页 |
| ·量子点的定义 | 第11-12页 |
| ·量子尺寸效应 | 第12-13页 |
| ·表面效应 | 第13页 |
| ·量子限域效应 | 第13-14页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第14页 |
| ·有效质量模型 | 第14-15页 |
| ·ZnO量子点的性能 | 第15-22页 |
| ·ZnO量子点的激子能态 | 第15-17页 |
| ·ZnO量子点的光学性能 | 第17-21页 |
| ·ZnO量子点的电学特性 | 第21-22页 |
| ·ZnO量子点的研究进展 | 第22-26页 |
| ·ZnO量子点的掺杂 | 第22-23页 |
| ·ZnO量子点的表面修饰 | 第23-24页 |
| ·ZnO量子点的退火 | 第24-26页 |
| ·ZnO量子点的制备方法 | 第26-29页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第26-27页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第27页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第27-28页 |
| ·反应电子束蒸发 | 第28页 |
| ·化学方法 | 第28-29页 |
| ·ZnO量子点的生长机制 | 第29-33页 |
| ·选择性生长 | 第29-30页 |
| ·自组织生长 | 第30-32页 |
| ·胶体ZnO量子点的生长和聚集机制 | 第32-33页 |
| ·ZnO量子点的应用 | 第33-35页 |
| ·量子点激光器 | 第34页 |
| ·单电子隧穿器件(单电子晶体管) | 第34-35页 |
| ·本论文的主要工作 | 第35-37页 |
| 第三章 实验方法及测试手段 | 第37-49页 |
| ·MOCVD的原理与工艺 | 第37-39页 |
| ·MOCVD的原理 | 第37-38页 |
| ·MOCVD设备 | 第38-39页 |
| ·MOCVD技术的优点和应用 | 第39-40页 |
| ·MOCVD生长ZnO量子点 | 第40-47页 |
| ·实验所用的MOCVD系统 | 第40-43页 |
| ·衬底清洗 | 第43-44页 |
| ·有机源流量计算 | 第44-45页 |
| ·管路的冲洗 | 第45页 |
| ·实验步骤 | 第45-46页 |
| ·生长动力学控制和工艺优化 | 第46-47页 |
| ·材料的表征 | 第47-49页 |
| 第四章 ZnO量子点的性能研究和可控生长 | 第49-69页 |
| ·ZnO量子点的晶体结构分析(XRD) | 第49-51页 |
| ·ZnO量子点的成分分析(EDS) | 第51页 |
| ·ZnO量子点的形貌分析(SEM、AFM和TEM) | 第51-56页 |
| ·ZnO量子点的光学性能分析 | 第56-59页 |
| ·光致发光光谱分析(PL谱) | 第56-58页 |
| ·拉曼光谱分析(Raman光谱) | 第58-59页 |
| ·ZnO量子点的可控生长 | 第59-67页 |
| ·生长时间对ZnO量子点的影响 | 第59-62页 |
| ·两步法生长ZnO量子点 | 第62-65页 |
| ·对ZnO量子点光学性能的控制 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 ZnO:P量子点的生长和性能研究 | 第69-85页 |
| ·ZnO:P量子点的形貌 | 第69-70页 |
| ·ZnO:P量子点的成分分析 | 第70-71页 |
| ·ZnO:P量子点中P的掺杂行为分析 | 第71-75页 |
| ·ZnO:P量子点的光学性能 | 第75-78页 |
| ·不同P含量的ZnO:P量子点和其他测试 | 第78-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第六章 结论 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 硕士期间发表论文及申请专利 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |