| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 上篇 稀土-Ⅳ-Ⅵ族稀磁半导体材料的合成工艺 | 第11-31页 |
| 第一章 前言 | 第11-19页 |
| ·稀磁半导体材料的概述 | 第11-12页 |
| ·DMS的特点及分类 | 第12-15页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体 | 第12-13页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体 | 第13-14页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族稀磁半导体 | 第14-15页 |
| ·DMS的物理性质 | 第15-17页 |
| ·磁学性质 | 第15页 |
| ·光学性质 | 第15-16页 |
| ·输运性质 | 第16-17页 |
| ·应用现状与前景展望 | 第17-18页 |
| ·改变组分获得所需的光谱效应 | 第17页 |
| ·sp-d交换作用的应用 | 第17页 |
| ·深入研究自旋电子学,推动DMS的实用化 | 第17-18页 |
| ·室温DMS的研究 | 第18页 |
| ·结束语 | 第18-19页 |
| 第二章 稀土-Ⅳ-Ⅵ族稀磁半导体材料的合成工艺 | 第19-29页 |
| ·引言 | 第19-21页 |
| ·粉末冶金 | 第20页 |
| ·高温熔化法 | 第20-21页 |
| ·实验材料与方法 | 第21-24页 |
| ·实验结果与讨论 | 第24-28页 |
| ·X射线衍射分析 | 第24-26页 |
| ·DTA数据分析 | 第26-27页 |
| ·金相显微分析 | 第27-28页 |
| ·结论 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 下篇 La-Cu-Sn三元合金相图473K等温截面 | 第31-70页 |
| 第一章 前言 | 第31-51页 |
| ·相图和相图应用 | 第31-32页 |
| ·相图的测定 | 第32-33页 |
| ·试样的制备 | 第33-34页 |
| ·配料和熔炼 | 第33页 |
| ·合金试样的均匀化处理 | 第33-34页 |
| ·淬冷技术 | 第34页 |
| ·物相分析技术 | 第34-40页 |
| ·X射线衍射法 | 第34-37页 |
| ·差热分析法(DTA) | 第37-38页 |
| ·金相分析法 | 第38页 |
| ·电子显微分析 | 第38-40页 |
| ·相界的测定 | 第40-41页 |
| ·相消失法 | 第40页 |
| ·点阵常数法 | 第40-41页 |
| ·关于PDF卡片 | 第41-42页 |
| ·X射线粉末衍射谱的指标化 | 第42-46页 |
| ·比值法 | 第42-43页 |
| ·分析法 | 第43-44页 |
| ·图解法 | 第44-45页 |
| ·计算机尝试法 | 第45-46页 |
| ·其他方法 | 第46页 |
| ·指标化结果正确性判据 | 第46-47页 |
| ·品质因数 | 第46-47页 |
| ·F_N或F_(20)判据 | 第47页 |
| ·晶体点阵常数的精确测定 | 第47-51页 |
| ·内标法 | 第48页 |
| ·图形外推法 | 第48-49页 |
| ·最小二乘法 | 第49-51页 |
| 第二章 La-Cu-Sn三元合金相图473K等温截面 | 第51-68页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·历史资料 | 第51-54页 |
| ·Cu-La二元系 | 第51-52页 |
| ·Cu-Sn二元系 | 第52-53页 |
| ·La-Sn二元系 | 第53-54页 |
| ·La-Cu-Sn三元化合物 | 第54页 |
| ·实验方法 | 第54-57页 |
| ·配料以及所用设备 | 第54-55页 |
| ·实验过程 | 第55-57页 |
| ·实验结果和讨论 | 第57-66页 |
| ·Cu-La二元系分析 | 第57-58页 |
| ·Cu-Sn二元系分析 | 第58页 |
| ·La-Sn二元系分析 | 第58-60页 |
| ·La-Cu-Sn三元化合物分析 | 第60-63页 |
| ·La-Cu-Sn三元合金系473K等温截面 | 第63-66页 |
| ·小结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 附录 部分三相区的XRD图谱 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第77页 |