| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·硅和硅锗合金半导体材料 | 第12-14页 |
| ·硅半导体材料概述 | 第12页 |
| ·硅锗半导体材料概述 | 第12-14页 |
| ·硅半导体材料中常见的缺陷 | 第14-17页 |
| ·C_iC_s(G缺陷)和C_iO_i(C缺陷)的形成与性质 | 第14-16页 |
| ·Si自间隙缺陷(W缺陷)的形成和性质 | 第16-17页 |
| ·硅材料中常见缺陷的研究现状 | 第17-18页 |
| ·本文的研究目的及内容 | 第18-20页 |
| 第二章 理论模拟方法 | 第20-34页 |
| ·量子化学理论基础 | 第20-24页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·从头计算分子轨道法 | 第21-23页 |
| ·密度泛函理论(Density Function Theory,DFT) | 第23-24页 |
| ·计算方法简介 | 第24-27页 |
| ·SIESTA软件概述 | 第24-25页 |
| ·SIESTA的主要计算参数 | 第25页 |
| ·SIESTA的输入文件 | 第25-27页 |
| ·参数的测试与设定 | 第27-29页 |
| ·交换关联势和赝势的选择 | 第27页 |
| ·基组的选择 | 第27页 |
| ·K点的选择 | 第27-28页 |
| ·截断能的选择 | 第28-29页 |
| ·模型优化与计算分析 | 第29-34页 |
| ·缺陷的结构模型 | 第29-32页 |
| ·缺陷形成能的计算 | 第32页 |
| ·缺陷价电子密度的计算 | 第32-33页 |
| ·分子动力学模拟 | 第33-34页 |
| 第三章 纯Si中各缺陷的特点以及Ge取代变化的从头计算研究 | 第34-44页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·纯Si体系中缺陷的结构与性质 | 第34-36页 |
| ·C_iC_s缺陷的结构与性质 | 第34-35页 |
| ·C_iO_i缺陷的结构与性质 | 第35-36页 |
| ·W缺陷的结构与性质 | 第36页 |
| ·缺陷邻近位置Si原子的Ge取代 | 第36-42页 |
| ·C_iC_s缺陷配位原子的Ge取代 | 第36-39页 |
| ·C_iO_i缺陷配位原子的Ge取代 | 第39-40页 |
| ·W缺陷配位原子的Ge取代 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 Si_(1-x)Ge_x合金半导体中各缺陷的从头计算研究 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金体系的性质 | 第44-46页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金体系的模拟 | 第44-45页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金体系的能量 | 第45-46页 |
| ·各缺陷在Si_(1-x)Ge_x合金中的性质 | 第46-50页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金中C_iC_s缺陷的性质 | 第46-48页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金中C_iO_i缺陷的性质 | 第48-49页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金中W缺陷的性质 | 第49-50页 |
| ·Si和Si_(1-x)Ge_x合金及碳相关缺陷的价电子密度分布 | 第50-53页 |
| ·Si和Si_(1-x)Ge_x合金体系的价电子密度 | 第50-51页 |
| ·C_iC_s缺陷和C_iO_i缺陷的价电子密度 | 第51-53页 |
| ·C_iC_s缺陷在Si和Si_(1-x)Ge_x合金中的退火行为 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-63页 |
| 参考文献 | 第63页 |
