| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第8-9页 |
| ·ZnO 材料研究进展 | 第9-11页 |
| ·三元材料MgZnO 的性质与研究进展 | 第11-14页 |
| ·MgZnO 的基本性质 | 第11-12页 |
| ·MgZnO 合金材料的研究进展 | 第12-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| 本章参考文献 | 第15-20页 |
| 第二章 MgZnO 薄膜的生长源料、设备及表征手段 | 第20-30页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第20-26页 |
| ·MOCVD 生长MgZnO 薄膜源材料的选择 | 第20-22页 |
| ·生长MgZnO 薄膜的等离子体增强MOCVD 系统 | 第22-25页 |
| ·用MOCVD 系统制备MgZnO 薄膜的生长步骤 | 第25-26页 |
| ·样品的表征技术 | 第26-29页 |
| 本章参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 生长条件对MgZnO 薄膜质量的影响 | 第30-46页 |
| ·生长温度的影响 | 第30-35页 |
| ·氧气流量的影响 | 第35-37页 |
| ·ZnO 缓冲层的影响 | 第37-42页 |
| ·氧气下退火的影响 | 第42-45页 |
| 本章参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章MgZnO 相关器件制备与研究 | 第46-57页 |
| ·在GaAs 衬底上制备p-MgZnO 薄膜的原理 | 第46-47页 |
| ·在GaAs 衬底上制备p-MgZnO 薄膜 | 第47-50页 |
| ·p-MgZnO/n-ZnO 异质结的制备与特性研究 | 第50-56页 |
| 本章参考文献 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 硕士期间参与发表的论文 | 第59-61页 |
| 摘要 | 第61-64页 |
| Abstract | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
